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不适用于新设计
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：8Gb，存储器组织：1G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：8Gb，存储器组织：1G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：8Gb，存储器组织：1G x 8
存储容量：512Gbit，时钟频率(fc)：208MHz，工作电压：2.7V~3.6V，工作温度：-25℃~+85℃
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：64Gb，存储器组织：8G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：256Gb，存储器组织：32G x 8
停产
存储器类型：非易失性，易失性，存储器格式：FLASH，RAM，技术：闪存 - NAND，移动 LPDRAM，存储容量：4Gb（NAND），4Gb（LPDRAM），存储器组织：256M x 16（NAND），128M x 32（LPDRAM）
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：64Gb，存储器组织：8G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：2Tb，存储器组织：256G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：4Gb，存储器组织：256M x 16
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
Digi-Key 停止提供
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
工作电压：2.7V~3.6V，页写入时间(Tpp)：300us，块擦除时间(tBE)：2ms，数据保留 - TDR(年)：10年
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：32Gb，存储器组织：4G x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NOR，存储容量：32Mb，存储器组织：8M x 4
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NOR，存储容量：4Mb，存储器组织：512K x 8
Digi-Key 停止提供
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储容量：2Gbit，接口类型：并口(Parallel)，工作电压：2.7V~3.6V，写周期时间(Tw)：25ns
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：128Gb，存储器组织：16G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：256Mb，存储器组织：32M x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：16Gb，存储器组织：2G x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
工作电压：2.7V~3.6V，页写入时间(Tpp)：300us，块擦除时间(tBE)：2ms，数据保留 - TDR(年)：10年
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：8Gb，存储器组织：1G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：2Gb，存储器组织：128M x 16
停产
存储器类型：非易失性，易失性，存储器格式：FLASH，RAM，技术：闪存 - NAND，移动 LPDRAM，存储容量：2Gb（NAND），1Gb（LPDRAM），存储器组织：256M x 8（NAND），32M x 32（LPDRAM）
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Tb，存储器组织：128G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8