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存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储容量：2Gbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：104MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储容量：512Mbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：133MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储容量：2Gbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：50MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储容量：16Gbit，接口类型：SD / SPI，时钟频率(fc)：50MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储容量：128Gbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：208MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：512Mb，存储器组织：64M x 8
存储容量：2Gbit，接口类型：SD2.0，时钟频率(fc)：50MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储容量：16Gbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：208MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储容量：32Gbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：208MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：256M x 4
存储容量：2Gbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：83MHz，工作电压：1.7V~1.95V
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储容量：64Gbit，接口类型：SD2.0，时钟频率(fc)：50MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储容量：1Gbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：90MHz，工作电压：2.7V~3.6V
不适用于新设计
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储容量：2Gbit，工作电压：2.7V~3.6V，写周期时间(Tw)：25ns，页写入时间(Tpp)：350us
存储容量：2Gbit，接口类型：SD2.0，时钟频率(fc)：50MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储容量：2Gbit，工作电压：2.7V~3.6V，写周期时间(Tw)：25ns，页写入时间(Tpp)：300us
存储容量：4Gbit，接口类型：SD2.0，时钟频率(fc)：50MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储容量：32Gbit，时钟频率(fc)：100MHz，工作电压：2.7V~3.6V，页写入时间(TPP)：1ms
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：4Gb，存储器组织：4G x 1
存储容量：16Gbit，接口类型：SD2.0，时钟频率(fc)：50MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储容量：32Gbit，接口类型：SD3.0，时钟频率(fc)：208MHz，工作电压：2.7V~3.6V
不适用于新设计
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储容量：1Gbit，接口类型：并口(Parallel)，时钟频率(fc)：20MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储容量：1Gbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：66MHz，工作电压：1.7V~1.95V
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：8Gb，存储器组织：1G x 8
存储容量：2Gbit，接口类型：并口(Parallel)，工作电压：2.7V~3.6V，页写入时间(Tpp)：300us
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
不适用于新设计
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：2Gb，存储器组织：512M x 4
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储容量：32Gbit，工作电压：2.7V~3.6V，写周期时间(Tw)：20ns，页写入时间(Tpp)：1.3ms
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：16Gb，存储器组织：2G x 8
不适用于新设计
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8