咨询/建议
存储容量：1Gbit，工作电压：3.3V，页写入时间(Tpp)：350us，块擦除时间(tBE)：2ms
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：1G x 1
存储容量：4Gbit，时钟频率(fc)：40MHz，工作电压：2.7V~3.6V，写周期时间(TW)：25ns
存储容量：4Gbit，接口类型：SD / SPI，时钟频率(fc)：50MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NOR，存储容量：64Mbit，存储器组织：8M x 8，4M x 16
存储容量：2Gbit，工作电压：2.7V~3.6V，页写入时间(Tpp)：400us，块擦除时间(tBE)：3ms
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：8Gb，存储器组织：1G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
Digi-Key 停止提供
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：64Gb，存储器组织：8G x 8
存储容量：8Gbit，接口类型：SD2.0，时钟频率(fc)：50MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储容量：64Gbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：208MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储容量：1Gbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：133MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
不适用于新设计
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：32Gb，存储器组织：4G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：16Gb，存储器组织：2G x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：32Gb，存储器组织：4G x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：64Gb，存储器组织：8G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：8Gb，存储器组织：1G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：256Gb，存储器组织：32G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：256Gb，存储器组织：32G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：128Gb，存储器组织：16G x 8
存储容量：1Gbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：104MHz，工作电压：1.8V
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储容量：512Mbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：104MHz，工作电压：1.7V~1.95V
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
工作电压：2.7V~3.6V，页写入时间(Tpp)：300us，块擦除时间(tBE)：3ms，数据保留 - TDR(年)：10年
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储容量：4Gbit，接口类型：并口(Parallel)，时钟频率(fc)：20MHz，工作电压：2.7V~3.6V
接口类型：SPI，时钟频率(fc)：133MHz，工作电压：2.7V~3.6V，页写入时间(Tpp)：360us
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储容量：4Gbit，时钟频率(fc)：33MHz，工作电压：2.7V~3.6V，页写入时间(TPP)：350us
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储容量：2Gbit，时钟频率(fc)：108MHz，工作电压：2.7V~3.6V，页写入时间(TPP)：430us
存储容量：4Gbit，时钟频率(fc)：108MHz，工作电压：3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：1G x 1
Digi-Key 停止提供
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8