咨询/建议
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：6V，反向电流(Ir)：10nA@6V，二极管电容(CT)：45pF
直流反向耐压(Vr)：10V，反向电流(Ir)：3nA，二极管电容(CT)：49.5pF@1V,1MHz；12pF@4V,1MHz，电容比：4.3
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：28V，反向电流(Ir)：10nA@28V，二极管电容(CT)：17pF
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：10V，反向电流(Ir)：3nA@10V，二极管电容(CT)：6.1pF@4V,1MHz
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：30V，反向电流(Ir)：10nA，二极管电容(CT)：16.25pF
不同 Vr、F 时电容：8.7pF @ 4V，1MHz，电容比：2.0，电容比条件：C1/C4，电压 - 峰值反向（最大值）：10 V，二极管类型：单路
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：15V，反向电流(Ir)：3nA@15V，二极管电容(CT)：6.5pF@10V,1MHz
不同 Vr、F 时电容：13.5pF @ 4.5V，1MHz，电容比：5.41，电容比条件：C1/C4.5，电压 - 峰值反向（最大值）：12 V，二极管类型：单路
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：10V，反向电流(Ir)：3nA@10V，二极管电容(CT)：7.1pF@4V,1MHz
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：10V，反向电流(Ir)：3nA@10V，二极管电容(CT)：12pF@4V,1MHz
不同 Vr、F 时电容：2.3pF @ 28V，1MHz，电容比：9.8，电容比条件：C1/C28，电压 - 峰值反向（最大值）：30 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：2pF @ 10V，1MHz，电容比：2.4，电容比条件：C2/C10，电压 - 峰值反向（最大值）：15 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：0.52pF @ 28V，1MHz，电容比：12.7，电容比条件：C1/C28，电压 - 峰值反向（最大值）：30 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：2.754pF @ 28V，1MHz，电容比：15.0，电容比条件：C1/C28，电压 - 峰值反向（最大值）：32 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：2.8pF @ 4.7V，50MHz，电容比：12.1，电容比条件：C0.3/C4.7，电压 - 峰值反向（最大值）：15 V，二极管类型：单路
二极管配置：1对共阴极，直流反向耐压(Vr)：18V，反向电流(Ir)：20nA@16V，二极管电容(CT)：11.5pF@8V,1MHz
不同 Vr、F 时电容：2.8pF @ 4.7V，1MHz，电容比：10.9，电容比条件：C0.3/C4.7，电压 - 峰值反向（最大值）：15 V，二极管类型：单路
直流反向耐压(Vr)：10V，反向电流(Ir)：3nA，二极管电容(CT)：26.5pF@1V,1MHz；6pF@4V,1MHz，电容比：4.3
不同 Vr、F 时电容：2.89pF @ 28V，1MHz，电容比：22.0，电容比条件：C1/C28，电压 - 峰值反向（最大值）：32 V，二极管类型：单路
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：10V，反向电流(Ir)：5uA@10V，二极管电容(CT)：20pF@4V,1MHz
不同 Vr、F 时电容：0.43pF @ 20V，50MHz，电容比：2.8，电容比条件：C4/C20，电压 - 峰值反向（最大值）：22 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：14.8pF @ 4.5V，1MHz，电容比：6.0，电容比条件：C1/C5，电压 - 峰值反向（最大值）：10 V，二极管类型：1 对共阴极
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：10V，反向电流(Ir)：100nA@10V，二极管电容(CT)：12pF
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：10V，反向电流(Ir)：3nA@10V，二极管电容(CT)：8.7pF@4V,1MHz
直流反向耐压(Vr)：10V，反向电流(Ir)：3nA，二极管电容(CT)：18.3pF@1V,1MHz；6.1pF@4V,1MHz，电容比：3
不同 Vr、F 时电容：2.35pF @ 4V，1MHz，电容比：2.3，电容比条件：C1/C4，电压 - 峰值反向（最大值）：10 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：22.7pF @ 8V，1MHz，电容比：2.25，电容比条件：C2/C8，电压 - 峰值反向（最大值）：18 V，二极管类型：1 对共阴极
不同 Vr、F 时电容：3.1pF @ 3V，1MHz，电容比：2.6，电容比条件：C1/C3，电压 - 峰值反向（最大值）：6 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：5.5pF @ 4V，1MHz，电容比：4.5，电容比条件：C1/C4，电压 - 峰值反向（最大值）：10 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：0.83pF @ 26V，1MHz，电容比：19.5，电容比条件：C1/C26，电压 - 峰值反向（最大值）：28 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：0.34pF @ 20V，50MHz，电容比：2.3，电容比条件：C4/C20，电压 - 峰值反向（最大值）：22 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：0.05pF @ 15V，1MHz，电压 - 峰值反向（最大值）：22 V，二极管类型：单路，不同 Vr、F 时 Q 值：3000 @ 4V，50MHz，工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
不同 Vr、F 时电容：3.3pF @ 28V，1MHz，电容比：25.0，电容比条件：C1/C28，电压 - 峰值反向（最大值）：30 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：19.75pF @ 8V，1MHz，电容比：2.42，电容比条件：C2/C8，电压 - 峰值反向（最大值）：18 V，二极管类型：1 对共阴极
不同 Vr、F 时电容：5.5pF @ 6V，1MHz，电容比：3.5，电容比条件：C1/C4，电压 - 峰值反向（最大值）：10 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：2.95pF @ 4V，1MHz，电容比：2.2，电容比条件：C1/C4，电压 - 峰值反向（最大值）：6 V，二极管类型：单路
二极管配置：1对共阴极，直流反向耐压(Vr)：18V，反向电流(Ir)：20nA@16V，二极管电容(CT)：18.7pF@8V,1MHz
不同 Vr、F 时电容：2.754pF @ 28V，1MHz，电容比：15.0，电容比条件：C1/C28，电压 - 峰值反向（最大值）：32 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：11.2pF @ 2.3V，1MHz，电容比：2.5，电容比条件：C0.2/C2.3，电压 - 峰值反向（最大值）：6 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：2pF @ 6V，50MHz，电容比：3.4，电容比条件：C1/C6，电压 - 峰值反向（最大值）：15 V，二极管类型：单路
电压 - 峰值反向（最大值）：22 V，二极管类型：单路，不同 Vr、F 时 Q 值：400 @ 4V，50MHz，工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ），安装类型：表面贴装型
不同 Vr、F 时电容：5.4pF @ 7.5V，1MHz，电容比：5.2，电容比条件：C1/C7.5，电压 - 峰值反向（最大值）：10 V，二极管类型：单路
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：34V，反向电流(Ir)：10nA@32V，二极管电容(CT)：3pF@25V,1MHz
不同 Vr、F 时电容：11.2pF @ 2.3V，1MHz，电容比：2.5，电容比条件：C0.2/C2.3，电压 - 峰值反向（最大值）：6 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：1.7pF @ 4.7V，50MHz，电容比：12.0，电容比条件：C0.3/C4.7，电压 - 峰值反向（最大值）：15 V，二极管类型：单路