咨询/建议
不同 Vr、F 时电容：2pF @ 10V，1MHz，电容比：2.4，电容比条件：C2/C10，电压 - 峰值反向（最大值）：15 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：25.5pF @ 8V，1MHz，电容比：3.8，电容比条件：C1/C7.5，电压 - 峰值反向（最大值）：15 V，二极管类型：1 对共阴极
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：10V，反向电流(Ir)：3nA@10V，二极管电容(CT)：6.1pF@4V,1MHz
不同 Vr、F 时电容：1.81pF @ 4V，1MHz，电容比：1.8，电容比条件：C1/C4，电压 - 峰值反向（最大值）：10 V，二极管类型：单路
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：30V，反向电流(Ir)：10nA@30V，二极管电容(CT)：2.1pF@28V,1MHz
不同 Vr、F 时电容：2.89pF @ 28V，1MHz，电容比：22.0，电容比条件：C1/C28，电压 - 峰值反向（最大值）：30 V，二极管类型：单路
电压 - 峰值反向（最大值）：22 V，二极管类型：单路，不同 Vr、F 时 Q 值：500 @ 4V，50MHz，工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ），安装类型：表面贴装型
不同 Vr、F 时电容：29pF @ 4V，1MHz，电容比：4.0，电容比条件：C0.1/C4，电压 - 峰值反向（最大值）：10 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：6.6pF @ 4V，1MHz，电容比：3.0，电容比条件：C1/C4，电压 - 峰值反向（最大值）：12 V，二极管类型：单路
电容比：12.3，电容比条件：C0.3/C4.7，电压 - 峰值反向（最大值）：15 V，二极管类型：单路，不同 Vr、F 时 Q 值：350 @ 3V，50MHz
不同 Vr、F 时电容：6pF @ 25V，1MHz，电容比：6.5，电容比条件：C3/C25，电压 - 峰值反向（最大值）：30 V，二极管类型：单路
不同 Vr、F 时电容：5.8pF @ 4.7V，50MHz，电容比：12.3，电容比条件：C0.3/C4.7，电压 - 峰值反向（最大值）：15 V，二极管类型：单路
二极管配置：独立式，直流反向耐压(Vr)：6V，反向电流(Ir)：10nA@6V，二极管电容(CT)：2.95pF@4V,1MHz
电压 - 峰值反向（最大值）：22 V，二极管类型：单路，不同 Vr、F 时 Q 值：400 @ 4V，50MHz，工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ），安装类型：表面贴装型
不同 Vr、F 时电容：12pF @ 4V，1MHz，电容比：4.3，电容比条件：C1/C4，电压 - 峰值反向（最大值）：10 V，二极管类型：单路