VISHAY(威世)
DO-213AB
¥0.538
19617
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.18
18385
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.085
31021
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
DFN-6-EP(1.6x1.6)
¥0.58968
11455
二极管配置:5 共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.277
31154
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.2365
26137
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
DIODES(美台)
-
¥0.2255
11750
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):400mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.046926
29600
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DFN1010-3
¥0.228195
4890
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):330mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.195261
91444
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOT-23-3
¥0.1316
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
NXP(恩智浦)
¥0.0492
0
NXP(恩智浦)
¥0.148
11800
NXP(恩智浦)
¥0.0275
0
SEMTECH(升特)/Gennum
¥0.0328
0
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-128
¥0.3241
0
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-123F
¥0.1507
0
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-123F
¥0.1339
0
NXP(恩智浦)
¥0.0436
915
停产
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.4002
0
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
停产
onsemi(安森美)
TO-247AD
¥7.4
1268
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 15 A
停产
onsemi(安森美)
TO-220-3
¥7.95
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 8 A
onsemi(安森美)
SMC
¥3.24317
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.85 V @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
TO-247-3-AI
¥22.2453
233
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.75V@30A,直流反向耐压(Vr):650V,整流电流:56A
MICROCHIP(美国微芯)
DO-35(DO-204AH)
¥3.39
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
停产
DIODES(美台)
DFN1006-2(SOD-882)
¥0.284
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):350 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.29 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SMAF-C
¥0.1278
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.4 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOT-23
¥0.0602
0
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
MiniMELF
¥0.0431
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Comchip(典琦)
SOD-323F
¥0.8427
7
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Comchip(典琦)
SOT-523
¥0.8452
98
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
Comchip(典琦)
SOD-923F
¥1.1338
1
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-128
¥0.2656
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
DO-214AC(SMA)
¥0.2307
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
BOURNS(伯恩斯)
0603
¥0.3211
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥1.54
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOT-416
¥0.3822
310
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
ROHM(罗姆)
SOT-353
¥0.6166
1007
二极管配置:2 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):25mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 5 mA
ST(先科)
SOD-123
¥0.0799
480
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):100nA@150V
AnBon(安邦)
SOD-323
¥0.0936
50
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:150mA
LIZ(丽智)
0603
¥0.0681
0
正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):5uA@75V
DIODES(美台)
SOT-563
¥0.5029
30
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):325 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
KEC(开益禧)
USM
¥0.2775
0
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):920mV@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
Nexperia(安世)
DO-34
¥0.044
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.656656
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.0724
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):855 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
TO-220-2
¥7.42
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.33 V @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0984
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥1.8477
25
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):100V,耗散功率(Pd):250mW,反向恢复时间(Trr):50ns
ST(先科)
SOT-323
¥0.0907
2820
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):120V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):250mW