KEC(开益禧)
ESC
¥0.0728
0
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):500nA@80V
FH(风华)
SOT-23
¥0.1081
70
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
PANJIT(强茂)
DO-214AB(SMC)
¥0.7986
1
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
DO-35
¥0.035
0
正向压降(Vf):720mV@5mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):5uA@75V
CBI(创基)
SOT-523
¥0.04752
100
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:75mA
AnBon(安邦)
SOT-23
¥0.0293
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA
LRC(乐山无线电)
SOD-882
¥0.0949
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.1037
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-323F
¥0.069115
0
ST(先科)
TO-236
¥0.0907
180
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:160mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.1368
8678
正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):350V,整流电流:225mA,耗散功率(Pd):280mW
ST(先科)
DO-35
¥0.03708
191
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:75mA,耗散功率(Pd):500mW
IDCHIP(英锐芯)
SOT-23
¥0.01765
0
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):8V,整流电流:2mA,耗散功率(Pd):2mW
ST(先科)
LL-34
¥0.066
5004
正向压降(Vf):720mV@5mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
SUNMATE(森美特)
¥0.3245
24000
Nexperia(安世)
MiniMELF
¥0.0923
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
DO-219AA
¥0.846272
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.03303
5850
二极管配置:1对共阳极,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:200mA
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥1.4853
3002
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
¥0.126
340
Nexperia(安世)
SOT-363
¥1.66
25
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
平晶
¥0.0585
3000
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SC-90(SOD-323F)
¥0.159
7920
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):35 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
¥0.182
26765
Nexperia(安世)
¥0.082
6000
TECH PUBLIC(台舟)
SOT-323
¥0.0677
0
正向压降(Vf):855mV@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,反向电流(Ir):1uA@75V
YFW(佑风微)
SOT-23
¥0.0359
0
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):250mW
CBI(创基)
SOT-23
¥0.0379
0
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):350mW
ROHM(罗姆)
SMD
¥1.3033
2533
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):990 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
SOT-23
¥0.0616
0
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):200mW
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0416
120000
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):500mW
Nexperia(安世)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.129
0
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-143
¥0.267
14100
二极管配置:2个独立式,正向压降(Vf):1.1V@100mA,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:250mA
DIODES(美台)
SOT-523
¥0.201
22653
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
ROHM(罗姆)
SOT-323
¥0.2842
200
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:100mA
晶导微电子
¥0.0308
351749
CJ(江苏长电/长晶)
¥0.0308
1537080
MICROCHIP(美国微芯)
DO-204AH
¥6.29
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOT-363
¥0.131758
0
二极管配置:2 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
DO-34
¥0.483
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):125 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Digi-Key 停止提供
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-214AC(SMA)
¥0.2486
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.22048
76283
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.098
5736
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
LRC(乐山无线电)
SOT-323
¥0.0628
373359
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.08632
54687
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.1099
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.069
141291
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOT-323-3
¥0.2154
169655
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1794
605
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.1091
186843
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):225mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)