TOSHIBA(东芝)
SC-59
¥0.4577
36
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥1.2534
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.261013
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.1002
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.15
1812
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-563
¥0.3016
6492
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.172
57792
二极管配置:2 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SMD
¥0.36
28838
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DFN1010-3
¥0.224
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DFN1412D-3
¥1.0678
0
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
MCC(美微科)
DFN1006-2L
¥0.0415
17792
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOT-323
¥0.08651
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
NXP(恩智浦)
¥0.0779
0
NXP(恩智浦)
0
NXP(恩智浦)
¥0.064
15421
NXP(恩智浦)
¥0.39964
0
NXP(恩智浦)
¥0.058
6830
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-123W
¥0.1791
0
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-123HE
¥0.1573
0
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMAF
¥0.1776
0
onsemi(安森美)
¥0.0567
0
NXP(恩智浦)
¥0.22
5982
MICROCHIP(美国微芯)
DO-213AA
¥9.86
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.0873
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
MiniMELF
¥0.1568
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.159
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.29 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
DIODES(美台)
SOT-26
¥0.878
0
二极管配置:2 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):350 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
TOSHIBA(东芝)
SC-76(SOD-323)
¥0.431
260
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOT-23-3
¥0.17
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-323
¥0.053
2600
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
VISHAY(威世)
DO-214AC(SMA)
¥0.414
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AC(SMA)
¥0.8814
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SC-74A,SOT-753
¥0.8955
4740
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):25 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 5 mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.0734
0
安装类型:表面贴装型,封装/外壳:SC-76,SOD-323
ST(先科)
SOD-323BL
¥0.0694
2600
正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):100V,反向电流(Ir):1uA@75V,反向恢复时间(Trr):6ns
ROHM(罗姆)
TO-263-3
¥5.0007
170
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):350 V,电流 - 平均整流 (Io):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.35 V @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOT-23
¥1.67
6
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
SOT-323-3
¥0.0728
0
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.101
2980
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
PANJIT(强茂)
SOD-523
¥0.1019
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):125mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):855 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Comchip(典琦)
SOT-23
¥0.5871
109
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Comchip(典琦)
SOD-323
¥0.2553
3000
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):100nA@150V
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-214AC(SMA)
¥0.1655
0
二极管类型:标准,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),反向恢复时间 (trr):500 ns
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-221AC(SMA)
¥0.1687
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Digi-Key 停止提供
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-204AL(DO-41)
¥0.1802
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-214AA(SMB)
¥1.41
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323-3
¥0.0825
5910
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:200mA
onsemi(安森美)
SOT-23-3(TO-236-3)
¥0.32
6444
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.12
3020
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):240V,整流电流:200mA
VISHAY(威世)
DO-41
¥1.92
1
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V