onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.42595
71229
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):875 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
DO-41
¥0.0611
8843
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0617
128184
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.1171
83423
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.2271
22900
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.42328
22408
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):980 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-213AB
¥0.11416
102968
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.2544
1760
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.0636
10540
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.18V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.0233
39335
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.03432
13749
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@400V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.095
549831
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):140mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 50 mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0869
32609
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.12272
191298
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.144
29429
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
onsemi(安森美)
DO-214AC,SMA
¥0.301
316906
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
停产
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.0447
23
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DOWO(东沃)
DO-214AC(SMA)
¥0.0681
48255
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@1A,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.0834
16581
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.113
35661
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.098
794959
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.308583
27024
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DOWO(东沃)
SOD-123FL
¥0.0203
40389
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SOD-123FL
¥0.0659
29664
正向压降(Vf):1.1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
华轩阳
SOD-323
¥0.029256
45400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.236
23317
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.0297
32300
正向压降(Vf):1.1V@2.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.2499
36043
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA@600V
SUNMATE(森美特)
插件,D3xL12mm
¥0.872575
25440
正向压降(Vf):45V@IF(AV),直流反向耐压(Vr):20kV,整流电流:5mA,反向电流(Ir):2uA
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.01065
13792
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
DOWO(东沃)
SMA(DO-214AC)
¥0.02018
104509
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.0635
23050
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.0728
207260
正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
ST(意法半导体)
DO-214AC,SMA
¥0.41
17180
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.1196
138609
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.045
33272
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥1.2272
5144
正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@200V
华轩阳
SMB
¥0.054648
26900
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
Nexperia(安世)
SOT-363
¥0.138964
30854
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
SKYWORKS(思佳讯)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥4.09
145
二极管类型:标准 - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):20V,电流 - 最大值:100 mA,不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz,不同 If、F 时电阻:1.5 欧姆 @ 10mA,100MHz
华轩阳
SOD-123F
¥0.022135
30150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.03446
41788
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
DIODES(美台)
DO-41
¥0.12
429266
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.14
24295
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0186
16880
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.04212
18887
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
DO-15
¥0.0679
6100
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.122645
2330
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.16606
27414
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1kV
Infineon(英飞凌)
SC-76,SOD-323
¥0.271
56439
二极管类型:标准 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):35V,电流 - 最大值:100 mA,不同 Vr、F 时电容:1.1pF @ 3V,1MHz,不同 If、F 时电阻:500 毫欧 @ 10mA,100MHz