JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.12272
929692
正向压降(Vf):350mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A,反向电流(Ir):60uA@10V
onsemi(安森美)
SOD-123F
¥0.415
55644
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):340 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-23
¥0.03037
409627
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0785
275012
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.13832
364932
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0396
828794
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.26
69211
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0922
132835
正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):10uA
LGE(鲁光)
SMB
¥0.19035
59458
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.1248
27466
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0606
857839
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):385mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.0553
230859
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.05398
96654
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):510mV@500mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA
BORN(伯恩半导体)
SMB
¥0.2595
41372
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):50uA@60V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0566
390555
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.30607
110819
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.132
90930
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.12009
155817
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOD-323
¥0.11
78726
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.1
85555
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.2906
164546
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Hottech(合科泰)
SOD-323
¥0.021
281747
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA,反向电流(Ir):5uA@30V
Hottech(合科泰)
SOD-323
¥0.0265
122347
正向压降(Vf):750mV@3.0A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):9A
BORN(伯恩半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.245
32583
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0585
97541
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.20549
148782
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
TO-277
¥0.555
137626
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):300uA@100V
Hottech(合科泰)
SOD-123
¥0.0293
233408
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.111
2040573
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.06302
122519
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.039185
104041
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
DIODES(美台)
SMA
¥0.226
66521
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SMD1006
¥0.185
1246502
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.119889
198002
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.51
103446
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.085
109450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A
MDD(辰达行)
TO-277
¥0.41098
229946
正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A,反向电流(Ir):300uA@45V
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.1705
1096648
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.08194
108409
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-201AD
¥0.216
90340
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.1078
690289
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SC-76,SOD-323
¥0.132957
213033
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 900 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-41
¥0.0827
78283
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.127
29989
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0825
1121483
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+125℃
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.16553
613069
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.405
33371
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):600mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.28
585588
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):540 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0946
411227
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.0416
17739
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):580mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A