DIODES(美台)
SC-70-6(SOT-363)
¥0.402
38116
二极管配置:2 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
SHIKUES(时科)
SMC
¥0.42199
2020
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@8A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:8A
PANJIT(强茂)
SMB
¥0.427
235
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.3692
860
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
¥0.4385
1
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.5464
13829
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.4132
13788
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.494506
50630
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMAF(DO-214AD)
¥0.27144
13255
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.588
22003
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SC-88
¥0.7292
11270
二极管配置:3个独立式,正向压降(Vf):430mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
晶导微电子
TO-252-2
¥0.57
4827
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:10A
ROHM(罗姆)
SOD-128-2
¥0.4056
10287
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-252
¥0.54117
3311
正向压降(Vf):830mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@100V
LGE(鲁光)
ITO-220
¥0.73395
295
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.7392
4631
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMC(DO-214AB)
¥0.741
366628
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
TO-277
¥0.85595
4990
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):790mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
PANJIT(强茂)
TO-252
¥0.945
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 5 A
onsemi(安森美)
SOD-323HE
¥0.74886
630
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-252
¥0.9759
961
正向压降(Vf):870mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-263-2L
¥0.99
13917
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):820mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
YANGJIE(扬杰)
TO-220
¥1.01608
2898
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A
LGE(鲁光)
TO-277
¥0.82498
66769
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@10A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:10A
SKYWORKS(思佳讯)
0402
¥1.1
0
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):2V,电流 - 最大值:150 mA,不同 Vr、F 时电容:0.25pF @ 0V,1MHz,功率耗散(最大值):750 mW
VISHAY(威世)
DO-213AB
¥1.1026
6076
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DPAK(TO-252AA)
¥1.5413
232841
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):6A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 12 A
DIODES(美台)
TO-252-3
¥1.0088
43158
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A
YFW(佑风微)
TO-247
¥2.16
1553
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):810mV@15A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:15A
VISHAY(威世)
DPAK(TO-252AA)
¥4.58
159
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-247
¥2.7126
731
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):890mV@15A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:15A
VISHAY(威世)
DPAK(TO-252AA)
¥3.39
181
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):3.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):960 mV @ 6 A
不适用于新设计
Nexperia(安世)
TO-277,3-PowerDFN
¥3.57
30
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-220FPAC
¥2.02
926
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
onsemi(安森美)
SMB
¥3.7926
16435
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):690 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-263-2
¥6.76
1063
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 20 A
VISHAY(威世)
TO-220AB-3
¥8.6688
5
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.16 V @ 40 A
MSKSEMI(美森科)
SOD-882
¥0.0477
9900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.022
72350
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0266
229500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.0332
303210
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FOSAN(富信)
SMAF
¥0.033
64150
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@40V
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.037825
14600
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.03438
8375
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
CBI(创基)
SOD-323
¥0.0426
6100
正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V
DOWO(东沃)
SOD-123
¥0.04524
14182
CBI(创基)
SOT-323
¥0.0486
2700
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
华轩阳
SOT-23
¥0.0494
1550
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA
晶导微电子
SOD-123HE
¥0.0495
65933
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0515
2913
正向压降(Vf):600mV,直流反向耐压(Vr):30V,反向电流(Ir):200nA,工作结温范围:-55℃~+150℃