SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
¥0.5847
2795
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.6355
1
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123FA
¥2.09
35
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.719532
54474
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2L
¥0.7353
13310
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):520mV@5A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
PANJIT(强茂)
TO-277B
¥0.7833
29499
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.949
2115
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 150 V
ST(意法半导体)
DO-221AC(SMA)
¥0.838
12829
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220
¥0.9553
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@15A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:30A
LGE(鲁光)
TO-220AB
¥0.85977
60
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):760mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:15A
VISHAY(威世)
SMC(DO-214AB)
¥0.842
31802
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-263-2L
¥0.8892
9389
正向压降(Vf):850mV@15A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:30A,反向电流(Ir):100uA@100V
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥0.954
4985
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):590mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:20A
TOSHIBA(东芝)
SOD-128
¥0.8427
9343
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥1.161
8
二极管配置:2对共阴极,正向压降(Vf):430mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
VISHAY(威世)
DO-214AC(SMA)
¥1.18658
55
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-277
¥1.09
2874
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):440mV@5A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:5A
ST(意法半导体)
DPAK
¥1.056
8403
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):870 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-252
¥0.64723
9981
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 5 A
YFW(佑风微)
TO-220F
¥1.161
186
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):730mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:15A
ST(意法半导体)
SMC
¥1.03
6932
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):870 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI-5
¥1.6168
5187
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):710 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-277A
¥1.64
5219
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):4.8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
onsemi(安森美)
DO-201AD
¥1.8392
933
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-252-2
¥1.51
27337
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):610 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
TO-252
¥2.2
3481
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):590 mV @ 7.5 A
YANGJIE(扬杰)
TO-220F
¥1.15764
203
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 10 A
onsemi(安森美)
D2PAK-3
¥4.99
4887
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A
ST(意法半导体)
TO-263-2
¥8.11
301
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 15 A
ST(意法半导体)
D2PAK
¥6.468
6
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):590 mV @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DFN-5(5x6)
¥6.66
13
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
TO-247AD
¥9.23
630
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):60A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 60 A
ST(意法半导体)
TO-247-3
¥7.9552
13711
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):60A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):830 mV @ 30 A
华轩阳
SOD-323
¥0.0463
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.01896
17500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.02331
2700
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA,反向电流(Ir):5uA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0249
11416
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
晶导微电子
SOD-523
¥0.0264
1761150
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):5uA@10V
CBI(创基)
SOD-523
¥0.034
24116
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
JSMSEMI(杰盛微)
SMA(DO-214AC)
¥0.034741
60
直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@100V,工作结温范围:-55℃~+150℃
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.03901
5380
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
DOWO(东沃)
SOD-123
¥0.03827
26494
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-323
¥0.0385
291152
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@30V
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0418
41456
正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@20V
YFW(佑风微)
SOD-123FL
¥0.044745
3900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.04004
3938
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FOSAN(富信)
SOD-123FL
¥0.0462
69136
正向压降(Vf):700mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@40V
ST(先科)
TO-236-3
¥0.0473
102892
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOD-123
¥0.0462
556194
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.0621
10160
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A