YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.5835
495
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):480mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
ST(意法半导体)
MiniMELF
¥0.181
17130
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
SMBF
¥0.553
5286
正向压降(Vf):430mV@5A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:5A,反向电流(Ir):70uA@36V
CJ(江苏长电/长晶)
DO-27
¥0.5577
1378
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@100V
PANJIT(强茂)
SMBF
¥0.5699
0
正向压降(Vf):660mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):50uA@100V
PANJIT(强茂)
SMBF
¥0.58656
4764
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BLUE ROCKET(蓝箭)
TO-263-2
¥0.672
3345
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,反向电流(Ir):10uA@100V
VISHAY(威世)
DO-219AD
¥0.51
3755
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 µA @ 150 V
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.65624
74737
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-263W
¥1.0962
175
正向压降(Vf):850mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A,反向电流(Ir):50uA@100V
晶导微电子
TO-252-2
¥0.67582
5049
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB
¥0.68157
955
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
VISHAY(威世)
DO-221AC(SlimSMA)
¥0.545
24018
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):720 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.78
30337
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMC
¥0.70542
60
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
DOWO(东沃)
TO-277
¥0.763
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):480mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:15A
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.6546
2920
正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:10A,工作结温范围:-55℃~+125℃
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SOD-123F
¥0.87152
6251
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-252
¥0.72941
721
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 5 A
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.878
62326
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
AnBon(安邦)
TO-252AB
¥0.6732
2499
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
不适用于新设计
Nexperia(安世)
TO-277
¥1.386
25236
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-277A-3
¥1.12561
44836
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
AnBon(安邦)
TO-277
¥1.1136
178
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):470mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
不适用于新设计
onsemi(安森美)
DO-214AA,SMB
¥1.2078
1250
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DPAK
¥1.25
8934
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):170V,整流电流:5A
YANGJIE(扬杰)
TO-220
¥1.2896
48
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 10 A
PANJIT(强茂)
TO-220AB
¥1.485
391
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-263-2L
¥1.4535
400
正向压降(Vf):800mV@15A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:30A,反向电流(Ir):100uA@60V
SMC(桑德斯)
D2PAK
¥1.43
1039
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-252-2(DPAK)
¥1.46
15453
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):7.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 7.5 A
YFW(佑风微)
TO-220F
¥1.77
0
正向压降(Vf):730mV@20A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:40A,反向电流(Ir):75uA@60V
VISHAY(威世)
DPAK(TO-252AA)
¥1.7052
3268
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):3.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):810 mV @ 3 A
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥2.35
19121
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):35 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-220AB-3
¥2.717
10234
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):730 mV @ 20 A
VISHAY(威世)
DO-221BC
¥2.59
836
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JUXING(钜兴)
TO-247
¥3.1255
9
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):900mV@30A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:60A
VISHAY(威世)
TO-220AB-3
¥5.852
990
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):15 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 40 A
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.0205
9183
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-523
¥0.02307
1420
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
德昌电子
DFN0603-2
¥0.00637
2500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.026942
10000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
MSKSEMI(美森科)
SOD-123
¥0.02812
1100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.02812
4966
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.029951
6100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:30mA
CBI(创基)
SOD-523
¥0.0386
9755
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
SHIKUES(时科)
SOD-323G
¥0.05738
2900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):540mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.06053
81480
正向压降(Vf):600mV,直流反向耐压(Vr):30V,反向电流(Ir):200nA,工作结温范围:-55℃~+125℃
UMW(友台半导体)
SOT-23-3
¥0.05845
13708
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
UMW(友台半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.0515
850
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@100V