晶导微电子
TO-220
¥0.7683
3049
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
MSKSEMI(美森科)
TO-277
¥0.50483
4780
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):530mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
DIODES(美台)
0603
¥0.5391
2590
正向压降(Vf):480mV@2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:2A,反向电流(Ir):150uA
ST(意法半导体)
DO-221AA(SMB)
¥0.572
30822
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.729
7735
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SOD-128
¥0.59
20560
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.60424
62439
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.823
20257
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMC(DO-214AB)
¥0.942
570
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SOT-23
¥0.025208
10200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
Slkor(萨科微)
SOD-523
¥0.0332
2394
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0334
77526
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0384
180460
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0445
6100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):120V,整流电流:200mA
晶导微电子
SMAF
¥0.0385
828376
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,工作结温范围:-55℃~+125℃
UMW(友台半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.04
9284
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.06
1005280
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-323(SC-70)
¥0.08
57088
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0759
172577
正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.08808
4180
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500nA
YFW(佑风微)
SOD-123FL
¥0.0975
4700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.08407
8480
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.09085
172099
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.101
211212
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Slkor(萨科微)
SOD-323
¥0.09562
14289
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SMA(DO-214AC)
¥0.09519
33062
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.1499
3461
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):260 mV @ 2 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.1265
470354
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@100V
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.12708
70810
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@60V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0935
256735
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SC-59-3
¥0.154
60130
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):400mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 200 mA
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.1903
15506
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.19935
5370
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-27
¥0.21411
230
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.22
15847
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1.1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 1.1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
USC
¥0.2693
2770
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):560mV@500mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.2002
20
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
WILLSEMI(韦尔)
SMA(DO-214AC)
¥0.2871
950
正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):200uA@40V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.198
133472
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.26416
10590
正向压降(Vf):525mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@40V
晶导微电子
SMA
¥0.3617
1015
正向压降(Vf):600mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@100V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.2915
9128
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.16432
5751
正向压降(Vf):800mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):1uA@100V
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.298
21208
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.314
21442
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
SMA(DO-214AC)
¥0.2781
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 40 V
VISHAY(威世)
DO-219AB(SMF)
¥0.33
15197
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AC,SMA
¥0.311
97791
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-214AA(SMB)
¥0.373
25186
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):740 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.423
2635
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@150V