MSKSEMI(美森科)
¥0.0684
0
KUU(永裕泰)
SOD-523
¥0.039
93000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
SUNMATE(森美特)
¥1.679
4
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.5023
138
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):590 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220
¥0.9571
1099
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A,反向电流(Ir):100uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.3018
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
UMW(友台半导体)
SMAF
¥0.0463
2400
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@60V
onsemi(安森美)
SOD-323HE
¥0.604912
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.725088
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
¥0.35
0
Littelfuse(美国力特)
TO-263-2
¥11.68
50
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.04617
1850
正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V
YFW(佑风微)
SMC
¥0.2722
0
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1uA@40V
YFW(佑风微)
SOT-323
¥0.065
0
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
PANJIT(强茂)
¥0.46
2500
MSKSEMI(美森科)
¥0.057
0
KUU(永裕泰)
¥0.048
120000
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.06
120000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.039
180000
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0516
300050
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA
KUU(永裕泰)
¥0.0567
0
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-214AB,SMC
¥2.1952
0
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 µA @ 40 V
Comchip(典琦)
DO-214AA(SMB)
¥0.2905
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIOTEC(德欧泰克)
DO-204AC,DO-15,轴向
¥0.3391
0
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.2673
0
不适用于新设计
Nexperia(安世)
SOT1289
¥1.4463
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
X3-DSN1006-3
¥0.147
8370
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 500 mA
Nexperia(安世)
SC-90
¥0.1036
16265
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.3719
1611
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
-
¥204.719
3
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):240A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 240 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SMD
¥0.4067
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):760 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.324
47970
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
DO-201AD
¥0.5844
3035
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):740 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
TO-220-3
¥1.2144
2985
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 5 A
ST(先科)
SOT-23
¥0.0484
0
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
德昌电子
SOD-523
¥0.07115
4900
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):1uA@10V
ROHM(罗姆)
SC-90(SOD-323F)
¥0.5524
2467
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
停产
MCC(美微科)
DO-214AC(SMA)
¥0.15
10
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
TO-263-3
¥5.2991
653
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 15 A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.8453
2900
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.5 µA @ 60 V
ChipNobo(无边界)
SOD-123
¥0.0931
3020
正向压降(Vf):550mV@0.5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):80uA@40V
Nexperia(安世)
SOT1289
¥7.04
100
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-247AC-3
¥12.01
45
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 30 A
PANJIT(强茂)
¥0.1774
728
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.1274
980
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):410 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.3144
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SOD-123
¥0.0814
50
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:350mA
DIODES(美台)
DO-214AC
¥0.244
26995
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-247AC-3L
¥19.6588
17
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):40A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 40 A
ROHM(罗姆)
SOT-323
¥1.4463
100
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):80mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):590 mV @ 40 mA