Nexperia(安世)
DFN1608-2
¥0.208
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):590 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DFN2020D-3
¥0.855
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A
ST(意法半导体)
SOT-323
¥0.301
3511
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 300 mA
VISHAY(威世)
DPAK(TO-252AA)
¥2.62
1
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
PANJIT(强茂)
TO-220AB-3
¥1.2778
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):710 mV @ 10 A
停产
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.8557
50
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.3807
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
ST(意法半导体)
TO-220
¥5.56971
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 20 A
ST(意法半导体)
DO-221AA
¥0.655443
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-216AA
¥0.372764
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Hottech(合科泰)
¥0.45404
3936
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2(DPAK)
¥0.693
45748
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.198
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.115
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.319956
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):640 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
Nexperia(安世)
SOT-666-6
¥0.6
91638
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 200 mA
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.48972
32230
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-204AH
¥0.111159
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
MicroMELF
¥0.831499
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
¥0.037
10000
MDD(辰达行)
¥0.06996
9121
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-123W
¥0.730837
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-220AB-3
¥2.148
3705
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 15 A
ST(意法半导体)
DO-41
¥0.32
4862
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-252-2(DPAK)
¥1.55
4484
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):7.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 7.5 A
ST(意法半导体)
DO-214AA
¥0.345
6700
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-220AB-3
¥4.29
925
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):170 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A
Nexperia(安世)
TO-236AB
¥0.1292
7778
VISHAY(威世)
DO-201AD
¥0.565
52479
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-220AB-3
¥2.84
8801
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):910 mV @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-221BC(SMPA)
¥0.84656
12593
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2.8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.165
11137
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
Comchip(典琦)
SOT-523
¥0.3119
2765
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA
MDD(辰达行)
¥0.08077
92045
MDD(辰达行)
¥0.04452
413336
ROHM(罗姆)
SOD-323
¥0.0771
53866
正向压降(Vf):470mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):100uA@20V
PANJIT(强茂)
SOD-523
¥0.0625
27502
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
停产
ROHM(罗姆)
GMD2
¥0.1118
139421
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
TO-220F-3
¥1.16
2879
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A
DIODES(美台)
SC-75(SOT-523)
¥0.39936
13773
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
DIODES(美台)
-
¥0.211
13170
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.8017
9891
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):700mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-213AB
¥3.29
14
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.0565
27060
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
晶导微电子
SOD-323
¥0.044
653532
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@500mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA
LRC(乐山无线电)
SOD-323HE
¥0.09402
97129
正向压降(Vf):550mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):30uA
MCC(美微科)
SOD-323
¥0.0906
8888
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
0
NXP(恩智浦)
¥0.094
0
NXP(恩智浦)
¥0.203
0