CJ(江苏长电/长晶)
TO-220
¥1.1495
0
正向压降(Vf):1V@15A,直流反向耐压(Vr):100V
ROHM(罗姆)
SMD
¥1.4311
80
正向压降(Vf):890mV@1A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA@150V
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-214AB(SMC)
¥0.5955
0
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@100V
VISHAY(威世)
TO-263AB(D2PAK)
¥6.59
20
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220F
¥0.96083
45
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):690mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
Nexperia(安世)
SOT-457
¥0.3403
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):25 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-1061
¥0.331
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):375 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
ITO-220AB-3
¥1.85634
0
正向压降(Vf):770mV@15A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:30A
停产
ST(意法半导体)
SMAFlat
¥0.2392
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
-
¥0.0981
0
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.2771
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:3A
MDD(辰达行)
ITO-220AB
¥0.7014
50
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
PANJIT(强茂)
DO-41
¥0.1588
0
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.2195
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
TO-277A
¥4.09
15
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):65 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
TO-220FN
¥1.59
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):870 mV @ 10 A
onsemi(安森美)
SOD-323HE
¥3.31
45
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220
¥1.0649
2
正向压降(Vf):800mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:20A,反向电流(Ir):100uA@60V
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-323
¥0.0896
2860
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
晶导微电子
ITO-220
¥0.7464
940
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,工作结温范围:-55℃~+150℃,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):100A
SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
¥0.3442
5
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):400uA@60V
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.2906
7601
正向压降(Vf):700mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@60V
DOWO(东沃)
SOD-123FL
¥0.0722
3000
正向压降(Vf):850mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):60V,反向电流(Ir):100uA@60V
Comchip(典琦)
SMB(DO-214AA)
¥0.962
1479
正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+125℃
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.3302
0
正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+150℃
Prisemi(芯导)
SOD-323
¥0.0896
846
正向压降(Vf):685mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@60V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.141
0
正向压降(Vf):950mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@150V
KEC(开益禧)
SMA
¥0.549378
1990
正向压降(Vf):500mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@40V
晶导微电子
SMBF
¥0.121
10
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A
VISHAY(威世)
DO-220AA(SMP)
¥0.5712
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2.4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.19936
0
正向压降(Vf):870mV@2A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:2A
Prisemi(芯导)
DFN1608-2L
¥0.2666
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1.5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
TO-220F
¥1.6397
6
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 5 A
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.404
2674
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@150V
晶导微电子
ITO-220AB
¥0.8695
975
停产
onsemi(安森美)
TO-220-3
¥0.95326
1828
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 10 A
停产
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.02856
4
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥1.29
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
ITO-220AB
¥1.5514
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 10 A
Nexperia(安世)
SOT-323
¥1.0402
100
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):15 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 30 mA
TOSHIBA(东芝)
SC-82
¥0.6353
64
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 100 mA
MCC(美微科)
SOD-523
¥0.1667
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LGE(鲁光)
TO-252
¥1.1
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):820mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
ROHM(罗姆)
SC-79(SOD-523)
¥0.0963
7431
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):610 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LGE(鲁光)
SMC
¥0.495
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@8A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
PANJIT(强茂)
SOT-323
¥0.0794
0
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 100 mA
Nexperia(安世)
SOD-882D
¥0.393
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.6228
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
SMAF
¥0.0532
2850
正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200nA
PANJIT(强茂)
TO-220AB-3
¥1.73
15
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 10 A