PANJIT(强茂)
¥0.2313
570
TOSHIBA(东芝)
SC-70
¥1.1691
1758
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 100 mA
DIODES(美台)
Power-DI-323
¥0.6732
2535
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOT-323
¥0.5759
5551
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):80mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):590 mV @ 40 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MCC(美微科)
SOD-523
¥0.19402
1553
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
SMC(桑德斯)
TO-220AB-3
¥2.36
53
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.3152
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DOWO(东沃)
SMA
¥0.0506
0
JUXING(钜兴)
SMBF
¥0.1972
0
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.176346
9870
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):390 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT1289
¥3.47
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DFN2020D-3
¥3.02
100
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):440 mV @ 2 A
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.5421
3000
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.283
402
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):240 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
VISHAY(威世)
TO-263(D2PAK)
¥3.7
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):720 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
ITO-220AB-3
¥0.79347
12282
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:20A
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.2214
8960
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
TSSOP-6-1.3mm
¥0.6014
0
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
Nexperia(安世)
¥0.11
0
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥1.0442
2920
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):90 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 µA @ 90 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.0782
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@0.2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
CBI(创基)
SOD-123
¥0.05544
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):620mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA
CBI(创基)
SOT-23
¥0.0549
2900
直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):600mA
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.5261
11767
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YFW(佑风微)
SOD-523
¥0.0594
0
正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):30uA@10V
YFW(佑风微)
SOT-23
¥0.0874
0
正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V
DOWO(东沃)
SOD-123FL
¥0.0937
2960
KUU(永裕泰)
¥0.3
51000
KUU(永裕泰)
¥0.0504
51000
DIOTEC(德欧泰克)
¥0.171
0
ST(意法半导体)
DO-41
¥1.6
100
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-263-2
¥14.39
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):12.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 12.5 A
ST(意法半导体)
SOD-128
¥0.7532
6102
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):610 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOD-323
¥0.0339
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-214AB(SMC)
¥0.8737
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
SOD-123
¥0.4445
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOREX(特瑞仕)
SOD-123P
¥0.522
3000
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SOT-23
¥0.0433
0
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA
YANGJIE(扬杰)
¥0.1711
0
BORN(伯恩半导体)
SMA
¥0.22325
4910
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@200V
Hottech(合科泰)
SMAF
¥0.087685
1780
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@100V
YFW(佑风微)
SMC
¥0.53004
700
正向压降(Vf):900mV@8A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@100V
YFW(佑风微)
SOD-523
¥0.0527
0
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA,反向电流(Ir):5uA@30V
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.23265
2900
正向压降(Vf):850mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):200uA@60V
KUU(永裕泰)
¥0.096
30000
KUU(永裕泰)
¥0.048
51000
DIODES(美台)
ITO-220AB-3
¥1.69007
0
正向压降(Vf):970mV@15A,直流反向耐压(Vr):120V,整流电流:30A
YFW(佑风微)
SMAF
¥0.1633
30
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
AnBon(安邦)
SMC
¥0.5479
14
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
ROHM(罗姆)
SC-79(SOD-523)
¥0.3291
24733
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度