VISHAY(威世)
SOT-23-3
¥0.2866
0
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
Digi-Key 停止提供
VISHAY(威世)
TO-263-2
¥14.85
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):720 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AC(SMA)
¥0.4026
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-204AL(DO-41)
¥0.7231
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 3.1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.8886
835
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0532
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):15mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
DO-15
¥0.2128
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252
¥0.2736
1690
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
ROHM(罗姆)
TO-220-3 整包
¥2.4819
970
二极管配置:1 对共阴极,技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):65 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):690 mV @ 15 A
ROHM(罗姆)
UMD3F
¥0.4834
3039
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
TO-220FN
¥3.8809
138
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 10 A
停产
ROHM(罗姆)
-
¥0.4786
120000
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 700 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
TO-220AB
¥1.58
40
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
MCC(美微科)
ITO-220AB-3
¥1.32
2
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@8A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:16A
MCC(美微科)
DO-41
¥0.193
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
ITO-220AB-3
¥2.6586
538
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 10 A
SMC(桑德斯)
TO-220AB-3
¥2.75
8
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
TO-220F-3
¥1.77
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
ITO-220AB-3
¥2.25
3005
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
ITO-220AB-3
¥2.09
10
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
TO-220-3 全封装,隔离接片
¥2.89
6
二极管配置:1 对共阴极,技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOT-323
¥0.2416
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.1624
3372
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SOD-123HE
¥0.2472
2923
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220
¥0.76905
2
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV@15A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:30A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOT-23
¥0.1084
0
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOT-23
¥0.0897
0
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
TO-220AB-3
¥1.8
4
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.23V@20A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SubSMA
¥0.242
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
DO-214AB(SMC)
¥2.56
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SOD-923F
¥0.6623
5
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Comchip(典琦)
DO-214AC(SMA)
¥1.45
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
DO-214AB(SMC)
¥0.6883
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
TO-220F
¥6.16
5
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 10 A
晶导微电子
TO-252-2
¥0.27
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
TO-220AB-3
¥5.68
3
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.43 V @ 20 A
ROHM(罗姆)
SOD-123
¥0.6128
10
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):490mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
DIODES(美台)
TO-263
¥1.36
20
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
UTC(友顺)
TO-220
¥0.7608
198
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
LGE(鲁光)
TO-252
¥0.5282
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
YFW(佑风微)
TO-263
¥1.47
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):760mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.3413
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.448
0
正向压降(Vf):650mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):200uA
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.9088
100
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥1.1
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB
¥1.34
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@20A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
WILLSEMI(韦尔)
SOT-23
¥0.1014
0
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
PROSEMI(普森美)
SMA-W
¥0.1065
0
正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA
JUXING(钜兴)
SOT-23
¥0.0994
0
直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA