onsemi(安森美)
SOT-23
¥1.34
93
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
停产
ST(意法半导体)
TO-220AB
¥6.32
1
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 15 A
停产
onsemi(安森美)
TO-220-2
¥11.63
2
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):15 V,电流 - 平均整流 (Io):25A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 25 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DFN-5(5x6)
¥2.1
3
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-220AC
¥3.7
2
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):35 V,电流 - 平均整流 (Io):16A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 16 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Digi-Key 停止提供
VISHAY(威世)
TO-220AB-3
¥19.64
1
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 15 A
VISHAY(威世)
TO-220AC-2
¥10.04
4
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
D2PAK(TO-263AB)
¥11.88
3
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
TO-252GE
¥2.18
50
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥2.33
1
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 15 A
PANJIT(强茂)
TO-3P-3
¥2.71
1
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):700mV@15A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:30A
MCC(美微科)
ITO-220AB
¥1.49
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
PANJIT(强茂)
TO-263
¥1.22
800
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 10 A
Comchip(典琦)
SOD-123T
¥0.382
9980
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):380 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.3316
0
正向压降(Vf):850mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@100V
KEXIN(科信)
SOT-23
¥0.0486
0
正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
PANJIT(强茂)
DO-15
¥0.2263
0
正向压降(Vf):900mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):50uA@200V
PANJIT(强茂)
SMAF
¥0.1063
0
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@60V
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA
¥0.1664
0
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
DO-204AL
¥0.650832
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
ITO-220AB-3
¥1.10884
0
正向压降(Vf):800mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
DO-214AC
¥0.1716
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥0.9098
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):750mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
MACOM
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥2.05
8
二极管类型:肖特基 - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):1.5V,工作温度:-65°C ~ 125°C(TJ),封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-214AC(SMA)
¥0.2362
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
PMDTM
¥1.43
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
TO-220FN
¥0.9534
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 5 A
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.122
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ROHM(罗姆)
TO-220FN
¥2.64
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):40A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):870 mV @ 20 A
ROHM(罗姆)
TO-263
¥2.2
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):40A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):860 mV @ 20 A
ROHM(罗姆)
TO-263-3
¥3.49
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):40A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):870 mV @ 20 A
ROHM(罗姆)
TO-220FN
¥1.23
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 7.5 A
ROHM(罗姆)
TO-252
¥0.9113
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):6A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):830 mV @ 3 A
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.1288
15595
晶导微电子
ITO-220AB
¥0.7457
0
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥1.73
39
正向压降(Vf):630mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥1.73
70
正向压降(Vf):1.3V@20A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A,反向电流(Ir):30uA@150V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥1.2199
5
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A,反向电流(Ir):500nA@100V
晶导微电子
TO-263
¥0.7612
275
正向压降(Vf):900mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,工作结温范围:-55℃~+175℃,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):100A
PANJIT(强茂)
TO-220AB-3
¥1.231
4
正向压降(Vf):800mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):650uA@100V
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥2.3
5
正向压降(Vf):800mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):50uA@100V
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥1.163
525
正向压降(Vf):900mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A,反向电流(Ir):50uA@150V
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥1.3491
3
正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A,反向电流(Ir):50uA@60V
PANJIT(强茂)
TO-220
¥1.3964
1
正向压降(Vf):860mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A,工作结温范围:-55℃~+150℃
ST(先科)
SOD-123
¥0.05264
0
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):2A
WILLSEMI(韦尔)
SOD-323F
¥0.172
3000
正向压降(Vf):570mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):50uA@40V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
-
¥0.2591
0
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):980 mV @ 500 mA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.7338
35
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
停产
onsemi(安森美)
TO-220-3
¥18.27
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):910 mV @ 20 A
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥0.4822
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)