ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.7322
44281
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):690 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
DO-214AC(SMA)
¥1.102
2017
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥1.1
6000
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.58766
5229
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):540 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.860002
2099
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DPAK
¥1.8
4134
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):7.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 7.5 A
ST(意法半导体)
SOT-323
¥0.215
12100
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 250 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(意法半导体)
SMC
¥1.06722
1970
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
TO-220AB-3
¥0.877
296
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 5 A
Hottech(合科泰)
SMC(DO-214AB)
¥0.08249
160
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
SMC(桑德斯)
TO-220AB-3
¥1.67
199
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.1436
3000
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.2288
38103
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:350mA,反向电流(Ir):5uA@20V
DIODES(美台)
DO-214AD
¥0.22
24077
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SC-70-6(SOT-363)
¥0.438
6577
二极管配置:2 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
DIODES(美台)
TO-220F-3
¥0.74
61
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 5 A
VISHAY(威世)
D-PAK(TO-252AA)
¥2.112
10602
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
ITO-220AB-3
¥3.73
2556
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 30 A
VISHAY(威世)
ITO-220AB-3
¥4.0744
7709
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 40 A
VISHAY(威世)
DPAK(TO-252AA)
¥1.2496
22617
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.7467
287
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOT-23-3
¥0.7189
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
VISHAY(威世)
TO-277A
¥1.4638
27448
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.783
30544
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.2236
3112
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):590 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.6039
9631
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SOT-323
¥0.24
19052
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.127
0
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
Nexperia(安世)
CFP-15-B
¥0.9516
26970
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):810 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
0201
¥0.353
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.2041
119809
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):640 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.124
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不适用于新设计
Nexperia(安世)
SOT-666-6
¥0.507
0
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
Nexperia(安世)
SOT-223-4
¥1.85
0
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):1A(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 1 A
ST(意法半导体)
¥0.1268
0
MICROCHIP(美国微芯)
0
onsemi(安森美)
SOT-23-3(TO-236)
¥0.0851
0
NXP(恩智浦)
0
NXP(恩智浦)
¥0.0497
0
NXP(恩智浦)
¥0.4782
0
NXP(恩智浦)
¥0.15967
0
NXP(恩智浦)
0
NXP(恩智浦)
¥0.0684
0
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.4944
0
Nexperia(安世)
SOT-323
¥0.2065
0
MDD(辰达行)
¥0.2135
0
Nanya(南亚科技)
-
0
MCC(美微科)
TO-220AB
¥3.16
0
FOSAN(富信)
¥0.0363
30000
PANJIT(强茂)
¥2.74
1250