BST82,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.424
78,928
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):190mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
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Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.424

1+:¥0.453

11032

24+
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Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.44004

27000

24+
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Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.44096

1+:¥0.47112

10320

24+
1-2工作日发货
BST82,215
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.4664

6000+:¥0.5035

3000+:¥0.53

800+:¥0.742

200+:¥1.06

10+:¥1.7252

11032

-
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Nexperia(安世)
SOT-23

6000+:¥0.5116

3000+:¥0.5448

500+:¥0.6001

150+:¥0.7243

50+:¥0.8238

5+:¥1.056

1740

-
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Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.5176

1200+:¥0.5644

600+:¥0.5701

50+:¥0.7826

5+:¥1.0032

3000

-
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Nexperia(安世)

3000+:¥0.5512

1500+:¥0.5889

200+:¥0.6474

70+:¥0.7953

11032

-
3天-15天
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Nexperia(安世)
SOT-23

100+:¥0.6

30+:¥0.724

10+:¥0.824

1+:¥1.056

2925

20+/21+
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NEXPERIA
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

1000+:¥0.6135

100+:¥0.6753

1+:¥0.7429

847

2226
现货最快4H发
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Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.44096

1500+:¥0.47112

200+:¥0.51792

1+:¥0.75192

11132

--
1-3工作日
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Nexperia(安世)

3000+:¥0.5871

1500+:¥0.6752

1000+:¥0.8237

560+:¥1.0543

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 190mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 欧姆 @ 150mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 40 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 830mW(Tc)
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3