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BSS84,215
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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BSS84,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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9000+:￥0.1178 6000+:￥0.1257 3000+:￥0.1415 300+:￥0.1613 100+:￥0.1877 10+:￥0.2405 |
23730 |
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立创商城
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BSS84,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.124 1+:￥0.14 |
237 |
25+
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圣禾堂
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BSS84,215
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NEXPERIA
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SOT-23
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1000+:￥0.1255 500+:￥0.1274 1+:￥0.1333 |
10854 |
2309
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSS84,215
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.12896 1+:￥0.1456 |
54203 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSS84,215
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.13222 |
1960 |
23+25+24+
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1-3工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 130mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 45 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 250mW（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |