BSS84,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.1178
173,184
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):50 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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BSS84,215
Nexperia(安世)
SOT-23

9000+:¥0.1178

6000+:¥0.1257

3000+:¥0.1415

300+:¥0.1613

100+:¥0.1877

10+:¥0.2405

23730

-
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BSS84,215
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.124

1+:¥0.14

237

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NEXPERIA
SOT-23

1000+:¥0.1255

500+:¥0.1274

1+:¥0.1333

10854

2309
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BSS84,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.12896

1+:¥0.1456

54203

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BSS84,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.13222

1960

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Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.13222

2311

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Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.13467

1924

24+23+
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BSS84,215
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.1371

6000+:¥0.148

3000+:¥0.1558

800+:¥0.2181

100+:¥0.3116

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2175

-
BSS84,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.1406

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600+:¥0.1603

100+:¥0.1865

10+:¥0.2389

2253

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MOS场效应管 BSS84,215 13 SOT-23(BSS84,215)
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.149

300+:¥0.172

100+:¥0.201

10+:¥0.318

4300

21+/25+
BSS84,215
Nexperia(安世)
SOT23

3000+:¥0.186

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210+:¥0.243

54237

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3天-15天
BSS84,215
Nexperia(安世)
SOT23

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1000+:¥0.2687

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15000

-
3天-5天
BSS84,215
nexperia
TO-236AB

9000+:¥0.122

6000+:¥0.138

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100+:¥0.19

10+:¥0.25

5952

2516+
1工作日
BSS84,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.12896

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200+:¥0.16848

1+:¥0.26104

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--
1-3工作日
BSS84,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.1364

1500+:¥0.154

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1+:¥0.2761

36967

25+
2-4工作日
BSS84,215
nexperia
TO-236AB

3000+:¥0.1416

1500+:¥0.1525

100+:¥0.1625

90000

23+
3-5工作日
BSS84,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

1000+:¥0.1705

11095

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6-8工作日
BSS84,215
nexperia
TO-236AB

15000+:¥0.3802

3000+:¥0.3877

66000

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10-15工作日
BSS84,215
nexperia
TO-236AB

475+:¥0.529

285+:¥0.5782

95+:¥0.636

310129

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 130mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 欧姆 @ 130mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 45 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 250mW(Tc)
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3