BSS308PEH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.295
28,564
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):2A,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@4.5V,1.7A
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BSS308PEH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23

1000+:¥0.345

500+:¥0.36

100+:¥0.39

30+:¥0.42

1+:¥0.435

1370

-
立即发货
BSS308PEH6327
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.44

6000+:¥0.475

3000+:¥0.5

800+:¥0.7

200+:¥1.0

10+:¥1.6275

24810

-
BSS308PEH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23(SOT-23-3)

500+:¥0.667

100+:¥0.881

20+:¥0.996

1+:¥1.231

2360

20+/21+
BSS308PEH6327
Infineon(英飞凌)
PG-SOT23-3-5

3000+:¥0.295

1+:¥0.333

16

23+
立即发货
BSS308PEH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.3068

1500+:¥0.34632

200+:¥0.39832

1+:¥0.61776

16

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1-3工作日

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规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 2A
导通电阻(RDS(on)) 130mΩ@4.5V,1.7A