咨询/建议
BSS308PEH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@4.5V,1.7A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSS308PEH6327
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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1000+:￥0.345 500+:￥0.36 100+:￥0.39 30+:￥0.42 1+:￥0.435 |
1370 |
-
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立即发货
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华秋商城
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BSS308PEH6327
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-23
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30000+:￥0.44 6000+:￥0.475 3000+:￥0.5 800+:￥0.7 200+:￥1.0 10+:￥1.6275 |
24810 |
-
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油柑网
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BSS308PEH6327
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23(SOT-23-3)
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500+:￥0.667 100+:￥0.881 20+:￥0.996 1+:￥1.231 |
2360 |
20+/21+
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在芯间
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BSS308PEH6327
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Infineon(英飞凌)
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PG-SOT23-3-5
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3000+:￥0.295 1+:￥0.333 |
16 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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BSS308PEH6327
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.3068 1500+:￥0.34632 200+:￥0.39832 1+:￥0.61776 |
16 |
--
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1-3工作日
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硬之城
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BSS308PEH6327
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Infineon Technologies/IR
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SOT-23-3
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24000+:￥0.3089 12000+:￥0.3144 6000+:￥0.3198 3000+:￥0.3388 |
60000 |
24+
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3-6工作日
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云汉芯城
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BSS308PEH6327
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Infineon Technologies/IR
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SOT-23-3
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10000+:￥0.452 5000+:￥0.46 1000+:￥0.472 10+:￥0.5 |
24810 |
-
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3-5工作日
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云汉芯城
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BSS308PEH6327
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Infineon Technologies/IR
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SOT-23-3
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3000+:￥0.5767 300+:￥0.6286 100+:￥0.6862 30+:￥0.7554 10+:￥0.9169 1+:￥1.1072 |
8041 |
24+
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1-3工作日
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云汉芯城
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BSS308PEH6327
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Infineon Technologies/IR
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SOT-23-3
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30000+:￥0.7006 18000+:￥0.713 12000+:￥0.7316 6000+:￥0.775 |
9000 |
批次:22+
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5-10工作日
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云汉芯城
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BSS308PEH6327
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Infineon Technologies/IR
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SOT-23-3
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6000+:￥1.15 3000+:￥1.18 500+:￥1.2 10+:￥1.25 |
66000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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BSS308PEH6327
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.3068 1+:￥0.34632 |
8 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSS308PEH6327
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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6000+:￥0.5836 3000+:￥0.6193 500+:￥0.7769 150+:￥0.9105 50+:￥1.0176 5+:￥1.2674 |
0 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V,1.7A |