BSS139H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.499
109,190
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):250 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V,10V
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价格(含税)
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渠道
BSS139H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.499

1+:¥0.534

32973

25+
立即发货
BSS139 H6327
Infineon(英飞凌)
PG-SOT23-3

3000+:¥0.499

1+:¥0.534

352

24+
立即发货
BSS139 H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.51896

1+:¥0.55536

350

24+
1-2工作日发货
BSS139H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
PG-SOT-23-3

3000+:¥0.51896

1+:¥0.55536

32965

25+
1-2工作日发货
BSS139 H6327
英飞凌(INFINEON)
PG-SOT23-3

30000+:¥0.5489

6000+:¥0.5926

3000+:¥0.6238

800+:¥0.8733

100+:¥1.2476

20+:¥2.0305

352

-
BSS139H6327XTSA1
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.5489

6000+:¥0.5927

3000+:¥0.6238

800+:¥0.8733

100+:¥1.2476

20+:¥2.0305

32973

-
BSS139H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23

500+:¥0.765

150+:¥0.9118

50+:¥1.0295

5+:¥1.304

2595

-
立即发货
BSS139H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23(SOT-23-3)

500+:¥0.83

150+:¥0.88

50+:¥0.99

5+:¥1.14

3640

22+/23+
BSS139H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
PG-SOT-23-3

3000+:¥0.6032

1500+:¥0.64896

200+:¥0.74672

1+:¥0.96928

3275

--
1-3工作日
BSS139H6327
Infineon Technologies/IR
SOT-23-3

1000+:¥0.6065

200+:¥0.6287

20+:¥0.6726

4650

25+
4-7工作日
BSS139H6327XTSA1
Infineon Technologies
SOT-23-3

3000+:¥0.6472

1000+:¥0.6782

500+:¥0.711

100+:¥0.7453

50+:¥0.8169

10+:¥0.8556

1+:¥0.9373

63679

2410+
1工作日
BSS139H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.6496

1500+:¥0.6989

200+:¥0.8042

1+:¥1.0438

3275

25+
2-4工作日
BSS139 H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.66144

1500+:¥0.71136

200+:¥0.81744

1+:¥1.0608

30352

--
1-3工作日
BSS139 H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

60000+:¥0.7

45000+:¥0.7067

3000+:¥0.7123

1500+:¥0.7661

200+:¥0.8803

1+:¥1.1424

30352

24+
2-4工作日
BSS139 H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.8484

1+:¥0.9663

28834

-
6-8工作日
BSS139H6327XTSA1
Infineon Technologies/IR
SOT-23-3

6000+:¥1.1376

3000+:¥1.1614

6790

-
10-15工作日
BSS139H6327
Infineon Technologies/IR
SOT-23-3

6000+:¥1.15

3000+:¥1.18

500+:¥1.2

10+:¥1.25

66000

-
3-5工作日
BSS139H6327XTSA1
Infineon Technologies/IR
SOT-23-3

175+:¥1.5755

105+:¥1.7228

35+:¥1.908

203708

-
14-18工作日
BSS139H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥1.36

1+:¥1.42

0

-
立即发货
BSS139H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23

500+:¥1.442

100+:¥1.484

10+:¥1.694

1+:¥1.764

0

-
立即发货
BSS139H6327
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

500+:¥1.6267

150+:¥1.952

50+:¥2.4401

5+:¥2.9281

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 14 欧姆 @ 100µA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 56µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.5 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 76 pF @ 25 V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 360mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3