BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SC-70
¥0.164
218,439
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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厂牌
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价格(含税)
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渠道
BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.164

1+:¥0.185

1985

24+
立即发货
BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SC-70

9000+:¥0.1678

6000+:¥0.1781

3000+:¥0.1988

300+:¥0.2314

100+:¥0.2668

10+:¥0.3375

1000

-
立即发货
BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323-3

3000+:¥0.17056

1+:¥0.1924

1979

24+
1-2工作日发货
BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323-3

3000+:¥0.18014

216

24+
1-3工作日发货
BSS138BKW,115
安世(Nexperia)
SOT-323

30000+:¥0.1903

6000+:¥0.2055

3000+:¥0.2163

800+:¥0.3028

100+:¥0.4326

20+:¥0.704

2207

-

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 320mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.6 欧姆 @ 320mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 56 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 260mW(Ta),830mW(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323