BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SC-70
¥0.164
218,439
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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价格(含税)
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BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.164

1+:¥0.185

1985

24+
立即发货
BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SC-70

9000+:¥0.1678

6000+:¥0.1781

3000+:¥0.1988

300+:¥0.2314

100+:¥0.2668

10+:¥0.3375

1000

-
立即发货
BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323-3

3000+:¥0.17056

1+:¥0.1924

1979

24+
1-2工作日发货
BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323-3

3000+:¥0.18014

216

24+
1-3工作日发货
BSS138BKW,115
安世(Nexperia)
SOT-323

30000+:¥0.1903

6000+:¥0.2055

3000+:¥0.2163

800+:¥0.3028

100+:¥0.4326

20+:¥0.704

2207

-
BSS138BKW,115
NEXPERIA
SOT323

1000+:¥0.2051

100+:¥0.2058

1+:¥0.2261

19267

2337
现货最快4H发
BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.2093

1500+:¥0.2407

1000+:¥0.2937

560+:¥0.3759

69000

-
3天-5天
BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

1500+:¥0.2775

200+:¥0.2782

120+:¥0.4303

1985

-
3天-15天
BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SOT323

500+:¥0.325

150+:¥0.368

50+:¥0.586

5+:¥0.855

800

20+/21+
MOS场效应管 BSS138BKW,115 SOT-323(BSS138BKW,115)
Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.707

1000+:¥0.92

20+:¥1.061

1+:¥1.769

120000

20+/21+
BSS138BKW,115
nexperia
SOT-323

6000+:¥0.1655

3000+:¥0.1845

200+:¥0.2

100+:¥0.2329

10+:¥0.3099

28376

2446+
1工作日
BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323-3

3000+:¥0.17056

1500+:¥0.1924

200+:¥0.22256

1+:¥0.34424

5928

--
1-3工作日
BSS138BKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

60000+:¥0.1782

45000+:¥0.1793

3000+:¥0.1804

1500+:¥0.2035

200+:¥0.2354

1+:¥0.3641

9241

24+
2-4工作日
BSS138BKW,115
nexperia
SOT-323

15000+:¥0.2278

540000

-
7-10工作日
BSS138BKW,115
NEXPERIA
SOT-323

30000+:¥0.2288

3000+:¥0.2358

48000

24+
5-10工作日
BSS138BKW,115
nexperia
SOT-323

288000+:¥0.2804

144000+:¥0.2854

72000+:¥0.2903

36000+:¥0.2952

36000

-
2-4周
BSS138BKW,115
NEXPERIA
SOT-323

10+:¥0.3264

45

22+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 320mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.6 欧姆 @ 320mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 56 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 260mW(Ta),830mW(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323