BSS131H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.225
178,344
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):240 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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BSS131H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.225

1+:¥0.254

58967

25+
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BSS131H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.234

1+:¥0.26416

58762

25+
1-2工作日发货
BSS131H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23

6000+:¥0.2366

3000+:¥0.2527

500+:¥0.2848

150+:¥0.325

50+:¥0.3785

5+:¥0.4856

14425

-
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BSS131H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23

500+:¥0.2475

100+:¥0.261

10+:¥0.288

1+:¥0.2993

2900

-
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BSS131 H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.2488

1200+:¥0.2765

600+:¥0.2793

100+:¥0.3682

10+:¥0.47

494

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BSS131H6327XTSA1
INFINEON
SOT-23

1+:¥0.3528

2870

2338
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BSS131H6327XTSA1
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.4411

6000+:¥0.4762

3000+:¥0.5013

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30000

-
BSS131H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.47

500+:¥0.61

50+:¥0.68

5+:¥0.86

8888

22+/23+
BSS131 H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23

2000+:¥0.5488

1000+:¥0.5635

500+:¥0.588

100+:¥0.637

30+:¥0.6615

1+:¥0.686

494

-
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BSS131 H6327
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

2000+:¥0.8711

1000+:¥1.2195

500+:¥1.3938

100+:¥1.4809

30+:¥1.6551

1+:¥2.0122

494

-
BSS131 H6327
INFINEON

1+:¥1.0951

50

-
现货最快4H发
BSS131 H6327
Infineon Technologies/IR
SOT

3000+:¥0.2268

246000

24+
3-5工作日
BSS131 H6327
Infineon Technologies/IR
SOT

15000+:¥0.23

9000+:¥0.234

6000+:¥0.238

3000+:¥0.246

60000

-
3-5工作日
BSS131H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.234

1500+:¥0.26416

200+:¥0.30472

1+:¥0.47112

36874

--
1-3工作日
BSS131H6327XTSA1
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23

3000+:¥0.2376

240000

24+
3-5工作日
BSS131H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
3000,SOT-23

60000+:¥0.2464

45000+:¥0.2498

3000+:¥0.252

1500+:¥0.2845

200+:¥0.3282

1+:¥0.5074

67974

25+
2-4工作日
BSS131H6327
Infineon Technologies/IR
SOT

24000+:¥0.2508

12000+:¥0.2552

6000+:¥0.2596

3000+:¥0.275

60000

24+
3-6工作日
BSS131H6327XTSA1
Infineon Technologies
3000,SOT-23

1000+:¥0.2535

500+:¥0.27

100+:¥0.3007

50+:¥0.3275

10+:¥0.3894

1+:¥0.4687

32229

2443+
1工作日
BSS131 H6327
INFINEON TECHNOLOGIES
SOT

1000+:¥0.2561

500+:¥0.2727

100+:¥0.3038

50+:¥0.3309

10+:¥0.3933

1+:¥0.4735

11599

25+
1-3工作日
BSS131 H6327
INFINEON TECHNOLOGIES
SOT

1000+:¥0.2561

500+:¥0.2727

100+:¥0.3038

50+:¥0.3309

10+:¥0.3933

1+:¥0.4735

63874

2451+
1工作日
BSS131H6327
Infineon Technologies
SOT

1000+:¥0.2561

500+:¥0.2727

100+:¥0.3038

50+:¥0.3309

10+:¥0.3933

1+:¥0.4735

44

2332+
1工作日
BSS131H6327
Infineon Technologies/IR
SOT

1000+:¥0.2782

200+:¥0.2888

20+:¥0.308

220000

25+
4-7工作日
BSS131 H6327
Infineon(英飞凌)
SOT

1891+:¥0.3048

1889+:¥0.3074

1888+:¥0.3127

1887+:¥0.3313

66607

-
6-8工作日
BSS131H6327XTSA1
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23

49950+:¥0.4401

24975+:¥0.444

4995+:¥0.4479

999+:¥0.4557

60000

-
5-8工作日
BSS131H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
3000,SOT-23

731+:¥0.475

729+:¥0.4791

728+:¥0.4873

727+:¥0.5163

2726

-
6-8工作日
BSS131H6327
Infineon Technologies/IR
SOT

15000+:¥0.5085

9000+:¥0.5175

6000+:¥0.531

3000+:¥0.5625

9000

22+
5-10工作日
BSS131H6327XTSA1
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23

3000+:¥0.516

51000

-
3-5工作日
BSS131 H6327
Infineon Technologies/IR
SOT

15799+:¥0.5578

15799

-
5-10工作日
BSS131H6327XT
Infineon Technologies/IR
SOT-23-3

15000+:¥0.5609

3000+:¥0.5716

4000

-
10-15工作日
BSS131H6327XTSA1
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23

425+:¥0.621

255+:¥0.6844

85+:¥0.744

29732

-
14-18工作日
BSS131 H6327
Infineon(英飞凌)
PG-SOT-23

6000+:¥0.3132

3000+:¥0.3308

500+:¥0.366

150+:¥0.4099

50+:¥0.4685

5+:¥0.5856

0

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立即发货
BSS131 H6327
Infineon(英飞凌)
PG-SOT23-3

3000+:¥0.42

1+:¥0.45

0

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BSS131H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥1.13

1+:¥1.2

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 14 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 56µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 77 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 360mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3