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BSS123NH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
TO-236-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：190mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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BSS123NH6327
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Infineon(英飞凌)
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TO-236-3
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3000+:￥0.1736 300+:￥0.1973 100+:￥0.229 10+:￥0.2923 |
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Infineon(英飞凌)
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3000+:￥0.215 1+:￥0.243 |
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圣禾堂
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3000+:￥0.2236 1+:￥0.25272 |
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-23-3
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30000+:￥0.2365 6000+:￥0.2554 3000+:￥0.2688 800+:￥0.3763 100+:￥0.5376 20+:￥0.875 |
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油柑网
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1+:￥0.3528 |
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 190mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 13µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 20.9 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |