咨询/建议
BSS123NH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
TO-236-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：190mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
BSS123NH6327
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-236-3
|
3000+:￥0.1736 300+:￥0.1973 100+:￥0.229 10+:￥0.2923 |
3210 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
BSS123NH6327XTSA1
|
Infineon(英飞凌)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.215 1+:￥0.243 |
327 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
BSS123NH6327XTSA1
|
Infineon(英飞凌)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.2236 1+:￥0.25272 |
319 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
BSS123NH6327XTSA1
|
英飞凌(INFINEON)
|
SOT-23-3
|
30000+:￥0.2365 6000+:￥0.2554 3000+:￥0.2688 800+:￥0.3763 100+:￥0.5376 20+:￥0.875 |
327 |
-
|
油柑网
|
|
|
BSS123NH6327XTSA1
|
INFINEON
|
SOT-23
|
1+:￥0.3528 |
3906 |
2316
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
BSS123NH6327XTSA1
|
Infineon(英飞凌)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.2236 1500+:￥0.25272 200+:￥0.29016 1+:￥0.45032 |
704 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
|
BSS123NH6327XTSA1
|
Infineon(英飞凌)
|
SOT-23-3
|
60000+:￥0.2352 45000+:￥0.2374 3000+:￥0.2408 1500+:￥0.2722 200+:￥0.3125 1+:￥0.485 |
710 |
25+
|
2-4工作日
|
云汉芯城
|
|
BSS123NH6327XTSA1
|
Infineon Technologies
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.3091 1000+:￥0.3278 500+:￥0.3547 100+:￥0.373 50+:￥0.4161 10+:￥0.4603 1+:￥0.9015 |
15334 |
2431+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
BSS123NH6327XTSA1
|
Infineon Technologies/IR
|
SOT-23-3
|
10000+:￥0.3277 5000+:￥0.3335 1000+:￥0.3422 10+:￥0.3625 |
30000 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
BSS123NH6327XTSA1
|
Infineon Technologies/IR
|
SOT-23-3
|
1000+:￥0.368 500+:￥0.413 100+:￥0.48 10+:￥0.5625 |
10000 |
-
|
5-7工作日
|
云汉芯城
|
|
BSS123NH6327XTSA1
|
Infineon Technologies/IR
|
SOT-23-3
|
475+:￥0.5405 285+:￥0.59 95+:￥0.66 |
141507 |
-
|
14-18工作日
|
云汉芯城
|
|
BSS123NH6327XTSA1
|
Infineon(英飞凌)
|
SOT-23
|
1+:￥0.4614 |
0 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 190mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 13µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 20.9 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |