BSS123LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1
615,615
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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价格(含税)
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渠道
BSS123LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.1

1+:¥0.127

91607

25+
立即发货
BSS123LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.10161

1044

25+
1-3工作日发货
BSS123LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.104

1+:¥0.13208

85596

25+
1-2工作日发货
BSS123LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

21000+:¥0.1049

9000+:¥0.1134

3000+:¥0.1288

600+:¥0.16

200+:¥0.19

20+:¥0.244

66820

-
立即发货
BSS123LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1052

6000+:¥0.1136

3000+:¥0.1196

800+:¥0.1674

100+:¥0.2392

20+:¥0.3893

1810

-
BSS123LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.10709

105809

24+
1-3工作日
BSS123LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1000+:¥0.1078

100+:¥0.1127

1+:¥0.1167

15025

2401
现货最快4H发
BSS123LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.11308

1000+:¥0.11518

500+:¥0.11728

100+:¥0.11928

10+:¥0.12075

141287

25+
现货
BSS123LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.15

1500+:¥0.1905

200+:¥0.2613

80+:¥0.6655

97607

-
3天-15天
BSS123LT1G
ON(安森美)
SOT-23

2000+:¥0.1566

1000+:¥0.1641

500+:¥0.1745

100+:¥0.1969

20+:¥0.2193

5+:¥0.2417

2400

-
立即发货
MOS场效应管 BSS123LT1G SAM SOT-23(BSS123LT1G)
onsemi(安森美)
SOT-23

500+:¥0.289

150+:¥0.325

50+:¥0.368

5+:¥0.456

5930

22+/23+
BSS123LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

600+:¥0.33441

200+:¥0.35468

20+:¥0.39715

680

2222
现货
BSS123LT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

9000+:¥0.106

6000+:¥0.112

3000+:¥0.1232

500+:¥0.1505

100+:¥0.1834

10+:¥0.2212

90198

2508+
1工作日
BSS123LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.1092

1500+:¥0.12376

200+:¥0.14248

1+:¥0.21944

164946

--
1-3工作日
BSS123LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.1143

12000+:¥0.1162

6000+:¥0.1202

3000+:¥0.1231

16680

24+
3-6工作日
BSS123LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

30000+:¥0.115

3000+:¥0.1239

1000+:¥0.198

100+:¥0.275

446336

23+
3-5工作日
BSS123LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.1155

1500+:¥0.1309

200+:¥0.1507

1+:¥0.2321

165392

25+
2-4工作日
BSS123LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.1239

6000+:¥0.126

3000+:¥0.1281

1+:¥0.1313

214667

25+
3-5工作日
BSS123LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.1404

157122

-
6-8工作日
BSS123LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3,TO-236

10+:¥0.253

2995

2525+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 170mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 20 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 225mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3