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BSS123-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BSS123-7-F
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DIODES(美台)
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SOT-23
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21000+:￥0.0909 9000+:￥0.0976 3000+:￥0.1102 600+:￥0.1323 200+:￥0.1564 20+:￥0.1998 |
38520 |
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BSS123-7-F
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.0909 1+:￥0.114 |
23923 |
24+
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圣禾堂
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BSS123-7-F
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.094 6000+:￥0.1015 3000+:￥0.1068 800+:￥0.1495 100+:￥0.2136 20+:￥0.3311 |
779 |
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油柑网
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Diodes(美台)
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3000+:￥0.09454 1+:￥0.11856 |
23880 |
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硬之城
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DIODES(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.1058 1200+:￥0.127 300+:￥0.1501 20+:￥0.1918 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 170mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |