BSS123-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0909
113,907
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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BSS123-7-F
DIODES(美台)
SOT-23

21000+:¥0.0909

9000+:¥0.0976

3000+:¥0.1102

600+:¥0.1323

200+:¥0.1564

20+:¥0.1998

38520

-
立即发货
BSS123-7-F
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.0909

1+:¥0.114

23923

24+
立即发货
BSS123-7-F
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.094

6000+:¥0.1015

3000+:¥0.1068

800+:¥0.1495

100+:¥0.2136

20+:¥0.3311

779

-
BSS123-7-F
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.09454

1+:¥0.11856

23880

24+
1-2工作日发货
BSS123-7-F
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.1058

1200+:¥0.127

300+:¥0.1501

20+:¥0.1918

2065

-
立即发货
BSS123-7-F
Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.1364

1500+:¥0.171

200+:¥0.2745

90+:¥0.6039

23883

-
3天-15天
BSS123-7-F
DIODES INCORPORATED
SOT-23-3

1+:¥0.1679

729

2222
现货最快4H发
BSS123-7-F
DIODES INCORPORATED
SOT-23-3

1+:¥0.1679

729

2222
现货最快4H发
MOS场效应管 BSS123-7-F SOT-23(BSS123-7-F)
美台(DIODES)
SOT-23

3000+:¥0.283

1000+:¥0.368

20+:¥0.424

5+:¥0.707

128

20+/21+
BSS123-7-F
Diodes Incorporated
SOT-23-3

15000+:¥0.0941

9000+:¥0.0958

6000+:¥0.0966

3000+:¥0.0975

150000

22+
3-5工作日
BSS123-7-F
DIODES
SOT-23-3

1000+:¥0.0951

500+:¥0.1093

100+:¥0.1139

10+:¥0.1171

1+:¥0.1262

40

2249+
1工作日
BSS123-7-F
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.09557

1500+:¥0.1196

200+:¥0.1924

1+:¥0.5772

24528

--
1-3工作日
BSS123-7-F
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.0962

12000+:¥0.0978

6000+:¥0.0995

3000+:¥0.1011

240000

24+
3-5工作日
BSS123-7-F
Diodes Incorporated
SOT-23-3

30000+:¥0.1012

15000+:¥0.1038

9000+:¥0.1074

3000+:¥0.11

90000

-
3-5工作日
BSS123-7-F
DIODES
SOT-23-3

21000+:¥0.1035

9000+:¥0.1102

3000+:¥0.1227

600+:¥0.1447

200+:¥0.169

20+:¥0.2133

113967

2517+
1工作日
BSS123-7-F
Diodes Incorporated
SOT-23-3

10000+:¥0.168

5000+:¥0.1695

2000+:¥0.18

90000

22+
3-5工作日
BSS123-7-F
Diodes Incorporated
SOT-23-3

1500+:¥0.6547

800+:¥0.6751

587300

-
10-15工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 170mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 欧姆 @ 170mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 60 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 300mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3