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BSN20BKR
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：265mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BSN20BKR
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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21000+:￥0.0984 9000+:￥0.1059 3000+:￥0.1199 600+:￥0.1374 200+:￥0.1645 20+:￥0.2133 |
16280 |
-
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立即发货
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立创商城
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BSN20BKR
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.11 1+:￥0.124 |
88018 |
25+
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圣禾堂
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BSN20BKR
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.1144 1+:￥0.12896 |
88012 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSN20BKR
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.12732 |
221169 |
25+
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1-3工作日发货
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硬之城
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BSN20BKR
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NEXPERIA
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SOT-23
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3000+:￥0.1274 1000+:￥0.1372 100+:￥0.147 1+:￥0.1568 |
8886 |
2127
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 265mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.49 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 20.2 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |