BSN20BKR
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.098406
667,642
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):265mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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BSN20BKR
Nexperia(安世)
SOT-23

21000+:¥0.0984

9000+:¥0.1059

3000+:¥0.1199

600+:¥0.1374

200+:¥0.1645

20+:¥0.2133

16280

-
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Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.11

1+:¥0.124

88018

25+
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BSN20BKR
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.1144

1+:¥0.12896

88012

25+
1-2工作日发货
BSN20BKR
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.12732

221169

25+
1-3工作日发货
BSN20BKR
NEXPERIA
SOT-23

3000+:¥0.1274

1000+:¥0.1372

100+:¥0.147

1+:¥0.1568

8886

2127
现货最快4H发
BSN20BKR
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.1332

6000+:¥0.1438

3000+:¥0.1514

800+:¥0.212

100+:¥0.3028

20+:¥0.4928

1272

-
BSN20BKR
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.15078

1000+:¥0.15358

500+:¥0.15638

100+:¥0.15904

10+:¥0.161

823

22+
现货
BSN20BKR
Nexperia(安世)
SOT23

3000+:¥0.165

1500+:¥0.186

240+:¥0.216

109018

-
3天-15天
BSN20BKR
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.1788

1500+:¥0.187

600+:¥0.2

200+:¥0.2162

50+:¥0.2325

10+:¥0.252

1159

-
立即发货
BSN20BKR
Nexperia(安世)
SOT23

3000+:¥0.2093

1500+:¥0.2407

1000+:¥0.2937

560+:¥0.3759

12000

-
3天-5天
MOS场效应管 BSN20BKR SOT-23(BSN20BKR)
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.24

1000+:¥0.313

20+:¥0.361

5+:¥0.601

121005

20+/21+
BSN20BKR
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.1248

1500+:¥0.14144

200+:¥0.16224

1+:¥0.25168

121621

--
1-3工作日
BSN20BKR
nexperia
TO-236AB

1500+:¥0.132

1000+:¥0.1368

500+:¥0.1416

254000

-
3-5工作日
BSN20BKR
NEXPERIA
TO-236AB

9000+:¥0.1327

6000+:¥0.146

3000+:¥0.1492

300+:¥0.1676

100+:¥0.1947

10+:¥0.2488

2659

24+
1工作日
BSN20BKR
nexperia
TO-236AB

24000+:¥0.1364

12000+:¥0.1388

6000+:¥0.1411

3000+:¥0.1435

240000

25+
3-5工作日
BSN20BKR
nexperia
TO-236AB

3000+:¥0.144

1500+:¥0.1599

100+:¥0.1875

201000

25+
3-5工作日
BSN20BKR
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.1725

1000+:¥0.1868

9040

-
6-8工作日
BSN20BKR
nexperia
TO-236AB

288000+:¥0.2804

144000+:¥0.2854

72000+:¥0.2903

36000+:¥0.2952

36000

-
2-4周
BSN20BKR
nexperia
TO-236AB

400+:¥0.6325

240+:¥0.708

80+:¥0.78

11220

-
14-18工作日
BSN20BKR
nexperia
TO-236AB

9000+:¥0.1227

6000+:¥0.135

3000+:¥0.138

300+:¥0.155

100+:¥0.18

1+:¥0.23

5

2510+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 265mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.8 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.49 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 20.2 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 310mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3