BSH108,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.42034
143,455
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.9A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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BSH108,215
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.42034

560

23+
1-3工作日发货
BSH108,215
NEXPERIA
SOT-23

3000+:¥0.4782

1000+:¥0.4998

100+:¥0.5145

1+:¥0.5292

8267

20+
现货最快4H发
BSH108,215
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.48039

93000

25+23+
1-3工作日发货
BSH108,215
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.48639

27996

24+23+
1-3工作日发货
BSH108,215
Nexperia(安世)
SOT-23

5000+:¥0.5164

2000+:¥0.5303

500+:¥0.5533

300+:¥0.5994

100+:¥0.6455

1+:¥0.6917

332

-
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BSH108,215
Nexperia(安世)
SOT-23

6000+:¥0.529

3000+:¥0.563

500+:¥0.63

150+:¥0.7575

50+:¥0.8597

5+:¥1.0981

3025

-
立即发货
MOS场效应管 BSH108,215 SOT-23(BSH108,215)
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.594

1000+:¥0.773

20+:¥0.891

1+:¥1.486

9000

20+/21+
BSH108,215
Nexperia(安世)
SOT-23

30+:¥0.825

10+:¥0.933

5+:¥1.184

1275

20+/21+
BSH108,215
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.4442

6000+:¥0.4796

3000+:¥0.5048

800+:¥0.7067

200+:¥1.0096

10+:¥1.5649

0

-
BSH108,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.475

1+:¥0.507

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 120 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 190 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 830mW(Tc)
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3