BSH103,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.2695
694,239
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):850mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
BSH103,215
NEXPERIA
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

3000+:¥0.2695

1000+:¥0.2744

100+:¥0.2842

1+:¥0.294

10634

-
现货最快4H发
BSH103,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.27

1+:¥0.305

77713

25+
立即发货
BSH103,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.2808

1+:¥0.3172

71582

25+
1-2工作日发货
BSH103,215
Nexperia(安世)
SOT-23

6000+:¥0.2967

3000+:¥0.3169

500+:¥0.3572

150+:¥0.4076

50+:¥0.4748

5+:¥0.6091

6040

-
立即发货
BSH103,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.29709

311784

25+24+23+
1-3工作日发货
BSH103,215
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.3109

6000+:¥0.3356

3000+:¥0.3533

800+:¥0.4946

200+:¥0.7066

10+:¥1.15

1407

-
BSH103,215
Nexperia(安世)
SOT23

3000+:¥0.351

1500+:¥0.3965

200+:¥0.4563

90+:¥0.5984

77598

-
3天-15天
BSH103,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

100+:¥0.362

30+:¥0.413

10+:¥0.481

5+:¥0.618

5200

20+/21+
BSH103,215
Nexperia(安世)
SOT23

3000+:¥0.5232

1500+:¥0.6017

1000+:¥0.7341

100+:¥0.9397

1+:¥1.2404

42270

-
3天-5天
MOS场效应管 BSH103,215 SOT-23(BSH103,215)
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.615

1000+:¥0.8

20+:¥0.923

1+:¥1.538

90000

20+/21+
BSH103,215
Nexperia(安世)
SOT-23

2000+:¥0.7092

1000+:¥0.7388

500+:¥0.7801

100+:¥0.8688

20+:¥0.9574

5+:¥1.0461

11

-
立即发货
BSH103,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.2808

1500+:¥0.3172

200+:¥0.36504

1+:¥0.56576

87161

--
1-3工作日
BSH103,215
nexperia
TO-236AB

6000+:¥0.2949

3000+:¥0.3149

500+:¥0.3545

150+:¥0.403

50+:¥0.47

5+:¥0.6

1500

2450+
1工作日
BSH103,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

60000+:¥0.297

45000+:¥0.2992

3000+:¥0.3025

1500+:¥0.3421

200+:¥0.3927

1+:¥0.6094

87221

25+
2-4工作日
BSH103,215
nexperia
TO-236AB

24000+:¥0.3183

12000+:¥0.3238

6000+:¥0.3293

3000+:¥0.3348

30000

24+
3-5工作日
BSH103,215
NEXPERIA
TO-236AB

9000+:¥0.3348

3000+:¥0.3451

15000

23+
1工作日
BSH103,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

1000+:¥0.4257

100+:¥0.4744

10142

-
6-8工作日
BSH103,215
nexperia
TO-236AB

200+:¥1.2765

120+:¥1.4042

40+:¥1.548

79122

-
14-18工作日
BSH103,215
nexperia
TO-236AB

1500+:¥1.8265

750+:¥1.8827

22750

-
10-15工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 850mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 400 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 400mV @ 1mA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2.1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 83 pF @ 24 V
功率耗散(最大值) 540mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3