BSC190N15NS3G
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
¥2.618
11,588
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss):150V,连续漏极电流(Id):50A,导通电阻(RDS(on)):19mΩ@10V,50A,耗散功率(Pd):125W
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渠道
BSC190N15NS3G
英飞凌(INFINEON)
PowerTDFN-8

50000+:¥2.618

10000+:¥2.8263

5000+:¥2.975

1000+:¥4.165

300+:¥5.95

10+:¥9.6836

6330

-
BSC190N15NS3G
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)

500+:¥2.79

100+:¥3.49

30+:¥4.01

10+:¥4.54

1+:¥5.6

545

-
立即发货
BSC190N15NS3G
Infineon(英飞凌)
TDSON-8

100+:¥3.4086

30+:¥3.598

10+:¥3.6611

1+:¥3.9767

310

-
立即发货
BSC190N15NS3G
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8

30+:¥4.01

10+:¥4.54

1+:¥5.6

4403

20+/21+
BSC190N15NS3G
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

50+:¥2.6705

30+:¥2.695

20+:¥2.744

10+:¥3.0625

42000

22+
3-5工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
漏源电压(Vdss) 150V
连续漏极电流(Id) 50A
导通电阻(RDS(on)) 19mΩ@10V,50A
耗散功率(Pd) 125W