BSC190N15NS3G
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
¥2.618
11,588
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss):150V,连续漏极电流(Id):50A,导通电阻(RDS(on)):19mΩ@10V,50A,耗散功率(Pd):125W
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
BSC190N15NS3G
英飞凌(INFINEON)
PowerTDFN-8

50000+:¥2.618

10000+:¥2.8263

5000+:¥2.975

1000+:¥4.165

300+:¥5.95

10+:¥9.6836

6330

-
BSC190N15NS3G
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)

500+:¥2.79

100+:¥3.49

30+:¥4.01

10+:¥4.54

1+:¥5.6

545

-
立即发货
BSC190N15NS3G
Infineon(英飞凌)
TDSON-8

100+:¥3.4086

30+:¥3.598

10+:¥3.6611

1+:¥3.9767

310

-
立即发货
BSC190N15NS3G
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8

30+:¥4.01

10+:¥4.54

1+:¥5.6

4403

20+/21+
BSC190N15NS3G
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

50+:¥2.6705

30+:¥2.695

20+:¥2.744

10+:¥3.0625

42000

22+
3-5工作日
BSC190N15NS3G
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

10000+:¥2.6894

5000+:¥2.737

1000+:¥2.8084

10+:¥2.975

6330

-
3-5工作日
BSC190N15NS3G
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

40000+:¥2.7052

20000+:¥2.7527

10000+:¥2.8001

5000+:¥2.9663

50000

22+
3-6工作日
BSC190N15NS3G
INFINEON TECHNOLOGIES
TDSON(EP)

500+:¥2.7836

100+:¥3.4867

30+:¥4.0193

10+:¥4.6097

1+:¥5.7139

19999

22+
1工作日
BSC190N15NS3G
INFINEON TECHNOLOGIES
TDSON(EP)

500+:¥2.7844

100+:¥3.4891

30+:¥4.0415

10+:¥4.5878

1+:¥5.6743

1205

22+
1工作日
BSC190N15NS3G
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

250000+:¥2.9109

50000+:¥2.9369

10000+:¥2.9889

5000+:¥3.0928

69051

22+
3-4工作日
BSC190N15NS3G
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

25000+:¥3.2849

15000+:¥3.3425

10000+:¥3.4002

5000+:¥3.4578

80000

-
3-5工作日
BSC190N15NS3G
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8

5000+:¥3.9

1+:¥4.06

0

-
立即发货
BSC190N15NS3G
INFINEON

1+:¥10.0872

0

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
漏源电压(Vdss) 150V
连续漏极电流(Id) 50A
导通电阻(RDS(on)) 19mΩ@10V,50A
耗散功率(Pd) 125W