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BSC070N10NS3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSC070N10NS3G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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1000+:￥2.35 500+:￥2.49 100+:￥2.77 30+:￥3.23 10+:￥3.7 1+:￥4.63 |
7692 |
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立即发货
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立创商城
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BSC070N10NS3G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥2.35 1+:￥2.45 |
9016 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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BSC070N10NS3G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8-EP(5x6)
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5000+:￥2.4232 1+:￥2.5272 |
8984 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSC070N10NS3G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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500+:￥2.48 100+:￥2.62 20+:￥3.45 1+:￥4.27 |
1340 |
22+/23+
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在芯间
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BSC070N10NS3GATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥2.99 1+:￥3.12 |
773 |
22+
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立即发货
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圣禾堂
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BSC070N10NS3GATMA1
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8
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50000+:￥3.289 10000+:￥3.5506 5000+:￥3.7375 1000+:￥5.2325 300+:￥7.475 10+:￥12.1656 |
773 |
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油柑网
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BSC070N10NS3G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON8_6X5MM_EP
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1000+:￥3.6615 10+:￥4.7855 1+:￥5.3975 |
172 |
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华秋商城
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BSC070N10NS3GATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(6x5)
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1000+:￥3.7164 500+:￥3.762 100+:￥3.8646 30+:￥4.104 10+:￥5.092 1+:￥6.3525 |
4829 |
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立即发货
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立创商城
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BSC070N10NS3G
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8
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50000+:￥3.729 10000+:￥4.0256 5000+:￥4.2375 1000+:￥5.9325 300+:￥8.475 10+:￥13.7931 |
10000 |
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油柑网
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BSC070N10NS3GATMA1
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INFINEON
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PG-TDSON-8
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1+:￥4.2213 |
4146 |
2309
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSC070N10NS3G
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INFINEON
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1+:￥9.506 |
20 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSC070N10NS3G
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥2.444 2500+:￥2.548 1250+:￥2.6832 100+:￥2.8912 1+:￥3.4632 |
9116 |
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1-3工作日
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硬之城
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BSC070N10NS3GATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥3.1096 2500+:￥3.2448 1250+:￥3.4112 100+:￥3.6816 1+:￥4.42 |
781 |
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1-3工作日
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硬之城
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BSC070N10NS3 G
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥3.2 1+:￥3.33 |
0 |
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立即发货
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圣禾堂
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BSC070N10NS3 G
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英飞凌(INFINEON)
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PG-TDSON-8
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50000+:￥3.52 10000+:￥3.8 5000+:￥4.0 1000+:￥5.6 300+:￥8.0 10+:￥12.4 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 75µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 55 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4000 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 114W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |