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BSC039N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥3.19 1+:￥3.32 |
1527 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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BSC039N06NS
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英飞凌(INFINEON)
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PowerTDFN-8
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50000+:￥3.729 10000+:￥4.0256 5000+:￥4.2375 1000+:￥5.9325 300+:￥8.475 10+:￥13.7931 |
5000 |
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油柑网
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BSC039N06NS
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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30+:￥4.67 10+:￥5.3 1+:￥6.43 |
87 |
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立即发货
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立创商城
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BSC039N06NS
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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10+:￥8.95625 1+:￥10.09369 |
11 |
2225
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现货
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硬之城
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BSC039N06NS
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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50+:￥8.95652 10+:￥9.75158 1+:￥10.88906 |
95 |
2220
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现货
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硬之城
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BSC039N06NS
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Infineon Technologies/IR
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TDSON(EP)
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5000+:￥3.136 1000+:￥3.164 500+:￥3.4776 200+:￥3.8318 20+:￥4.2 |
500 |
22+
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4-7工作日
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云汉芯城
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BSC039N06NS
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥3.3176 2500+:￥3.4528 1250+:￥3.6192 100+:￥3.9104 1+:￥4.7008 |
1527 |
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1-3工作日
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硬之城
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Infineon Technologies
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TDSON(EP)
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500+:￥3.4632 100+:￥3.5611 50+:￥3.8823 10+:￥4.3492 1+:￥4.6666 |
227 |
2249+
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1工作日
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云汉芯城
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BSC039N06NS
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Infineon Technologies/IR
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TDSON(EP)
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1000+:￥3.5602 200+:￥3.6969 20+:￥3.9483 |
6000 |
25+
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4-7工作日
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云汉芯城
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BSC039N06NS
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Infineon Technologies/IR
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TDSON(EP)
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10000+:￥3.8307 5000+:￥3.8985 1000+:￥4.0002 10+:￥4.2375 |
5000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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BSC039N06NS
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Infineon Technologies/IR
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TDSON(EP)
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250000+:￥4.0499 50000+:￥4.0861 10000+:￥4.1584 5000+:￥4.303 |
22750 |
23+
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3-4工作日
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云汉芯城
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BSC039N06NS
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Infineon Technologies/IR
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TDSON(EP)
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25000+:￥5.7461 15000+:￥5.8478 10000+:￥6.0003 5000+:￥6.3563 |
5000 |
22+
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3-5工作日
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云汉芯城
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BSC039N06NSATMA1
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Infineon Technologies/IR
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500+:￥7.0955 100+:￥7.7998 10+:￥8.592 |
6748 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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BSC039N06NSATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥3.96 1+:￥4.11 |
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圣禾堂
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BSC039N06NS
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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500+:￥5.936 100+:￥6.254 10+:￥6.89 1+:￥7.155 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.9 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 36µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 27 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2000 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |