咨询/建议
BSC028N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
BSC028N06NS
|
Infineon(英飞凌)
|
TDSON-8(5x6)
|
1000+:￥2.68 500+:￥2.85 100+:￥3.17 30+:￥3.71 10+:￥4.25 1+:￥5.34 |
4779 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
BSC028N06NS
|
Infineon(英飞凌)
|
PG-TDSON-8
|
5000+:￥2.8 1+:￥2.92 |
27189 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
BSC028N06NS
|
Infineon(英飞凌)
|
PG-TDSON-8
|
5000+:￥2.912 2500+:￥3.0368 1250+:￥3.1824 100+:￥3.4424 1+:￥4.1392 |
14980 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
|
BSC028N06NS
|
Infineon(英飞凌)
|
PG-TDSON-8
|
500+:￥3.21 100+:￥3.56 20+:￥4.55 1+:￥5.93 |
5000 |
22+/23+
|
在芯间
|
|
|
BSC028N06NS
|
Infineon(英飞凌)
|
TDSON-8
|
500+:￥3.696 100+:￥3.795 10+:￥4.29 1+:￥4.455 |
170 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
BSC028N06NS
|
英飞凌(INFINEON)
|
QFN
|
50000+:￥4.972 10000+:￥5.3675 5000+:￥5.65 1000+:￥7.91 300+:￥11.3 10+:￥17.515 |
20272 |
-
|
油柑网
|
|
|
BSC028N06NS
|
INFINEON
|
PG-TDSON-8
|
1+:￥12.5244 |
13 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
BSC028N06NS
|
Infineon Technologies/IR
|
TDSON(EP)
|
1000+:￥2.7614 100+:￥2.8815 10+:￥3.4521 |
201313 |
-
|
5-10工作日
|
云汉芯城
|
|
BSC028N06NS
|
Infineon(英飞凌)
|
TDSON(EP)
|
65000+:￥3.0912 30000+:￥3.1248 5000+:￥3.136 2500+:￥3.2704 1250+:￥3.4272 100+:￥3.7072 1+:￥4.4576 |
2472 |
25+
|
2-4工作日
|
云汉芯城
|
|
BSC028N06NS
|
Infineon Technologies/IR
|
TDSON(EP)
|
10000+:￥3.7064 5000+:￥3.772 1000+:￥3.8704 10+:￥4.1 |
20272 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
BSC028N06NS
|
Infineon Technologies/IR
|
TDSON(EP)
|
50000+:￥4.294 25000+:￥4.37 15000+:￥4.484 5000+:￥4.56 |
5000 |
22+
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
BSC028N06NS
|
Infineon Technologies/IR
|
TDSON(EP)
|
50+:￥4.36 30+:￥4.4 20+:￥4.48 10+:￥5.0 |
620 |
22+
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
BSC028N06NS
|
Infineon Technologies/IR
|
TDSON(EP)
|
10000+:￥4.6 5000+:￥4.72 500+:￥4.8 10+:￥5.0 |
20000 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
BSC028N06NSATMA1
|
Infineon Technologies/IR
|
500+:￥10.7295 100+:￥11.5876 5+:￥12.756 |
29372 |
-
|
14-18工作日
|
云汉芯城
|
|
|
BSC028N06NSATMA1
|
Infineon(英飞凌)
|
TDSON-8
|
5000+:￥3.6764 |
0 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
BSC028N06NSATMA1
|
INFINEON
|
PG-TDSON-8
|
1+:￥9.1882 |
0 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
BSC028N06NSATMA1
|
Infineon(英飞凌)
|
TDSON-8
|
500+:￥12.3 100+:￥13.1 20+:￥14.1 1+:￥15.6 |
0 |
22+
|
在芯间
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 37 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2700 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |