BSC016N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8FL
¥2.64261
26,630
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Ta),100A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
BSC016N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
PowerTDFN-8

5000+:¥2.64261

1000+:¥2.6799

500+:¥2.71719

100+:¥2.74951

10+:¥2.78432

330

22+
现货
BSC016N06NS
Infineon(英飞凌)
卷装

5000+:¥2.68

1+:¥2.79

19100

25+
立即发货
BSC016N06NS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8

1+:¥2.6887

110

-
立即发货
BSC016N06NS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8-EP(5x6)

5000+:¥2.7872

1+:¥2.9016

9091

25+
1-2工作日发货
BSC016N06NS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8FL

1000+:¥2.8

500+:¥2.97

100+:¥3.28

30+:¥3.81

10+:¥4.33

1+:¥5.39

2099

-
立即发货
BSC016N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8FL

5000+:¥3.03

1+:¥3.15

726

22+
立即发货
BSC016N06NS
英飞凌(INFINEON)
PowerTDFN-8

50000+:¥3.4805

10000+:¥3.7573

5000+:¥3.9551

1000+:¥5.5371

300+:¥7.9102

10+:¥12.8739

15000

-
BSC016N06NS
Infineon Technologies
SON

1000+:¥3.1313

500+:¥3.2975

100+:¥3.4441

50+:¥3.7349

10+:¥3.9739

1+:¥4.1328

1290

2233+
1工作日
BSC016N06NSATMA1
Infineon Technologies/IR
TDSON-8

40000+:¥3.132

20000+:¥3.186

10000+:¥3.294

5000+:¥3.375

5000

24+
3-5工作日
BSC016N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
PowerTDFN-8

5000+:¥3.1512

2500+:¥3.276

1250+:¥3.4424

100+:¥3.7128

1+:¥4.4512

726

--
1-3工作日
BSC016N06NS
Infineon Technologies/IR
SON

1000+:¥3.192

500+:¥3.2205

300+:¥3.5397

100+:¥3.9002

30+:¥4.275

10000

22+
4-7工作日
BSC016N06NSATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
TDSON-8

1000+:¥3.2143

500+:¥3.4177

100+:¥3.6

50+:¥3.9706

10+:¥4.2857

1+:¥4.5

108

2403+
1工作日
BSC016N06NSATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
TDSON-8

1000+:¥3.2143

500+:¥3.4177

100+:¥3.6

50+:¥3.9706

10+:¥4.2857

1+:¥4.5

13179

24+
1-3工作日
BSC016N06NS
Infineon Technologies/IR
SON

1000+:¥3.335

500+:¥3.776

100+:¥4.2

10+:¥4.75

10500

-
5-7工作日
BSC016N06NS
INFINEON TECHNOLOGIES
SON

1+:¥3.344

4966

21+
1-3工作日
BSC016N06NS
Infineon Technologies/IR
SON

3000+:¥3.616

1000+:¥3.68

500+:¥3.776

10+:¥3.84

60000

22+
3-5工作日
BSC016N06NS
Infineon Technologies/IR
SON

5000+:¥4.536

25000

24+
7-12工作日
BSC016N06NSATMA1
Infineon Technologies/IR
TDSON-8

5000+:¥4.536

25000

24+
7-12工作日
BSC016N06NSATMA1
Infineon Technologies/IR
TDSON-8

500+:¥12.0175

100+:¥13.216

5+:¥14.556

644

-
14-18工作日
BSC016N06NS
Infineon Technologies/IR
SON

2500+:¥15.0631

1250+:¥15.5353

5+:¥16.0203

32375

-
10-15工作日
BSC016N06NS
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8-FL

100+:¥2.376

30+:¥2.376

10+:¥2.376

1+:¥2.376

0

20+/21+
BSC016N06NSATMA1
英飞凌(INFINEON)
TDSON-8

50000+:¥3.7291

10000+:¥4.0257

5000+:¥4.2376

1000+:¥5.9326

300+:¥8.4752

10+:¥13.1366

0

-
BSC016N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON8FL_5X6MM

1000+:¥8.3294

500+:¥8.6915

100+:¥9.4158

30+:¥10.1401

1+:¥10.5022

0

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 95µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 71 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5200 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN