BSC014N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8-FL
¥3.3
14,602
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Ta),100A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
厂家型号
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价格(含税)
库存
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渠道
BSC014N06NS
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8

5000+:¥3.3

1+:¥3.44

11939

25+
立即发货
BSC014N06NS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8-FL

1000+:¥5.73

500+:¥5.93

100+:¥6.4

30+:¥7.44

10+:¥8.46

1+:¥10.09

2641

-
立即发货
BSC014N06NS
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8FL

30+:¥7.71

10+:¥8.78

1+:¥10.73

12

20+/21+
BSC014N06NS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

25000+:¥3.588

15000+:¥3.6504

10000+:¥3.7128

5000+:¥3.8376

30000

-
5-7工作日
BSC014N06NS
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8FL

5000+:¥3.6712

2500+:¥3.8168

1250+:¥4.004

100+:¥4.3264

1+:¥5.1896

19945

--
1-3工作日
BSC014N06NS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

5000+:¥3.78

50000

25+
5-10工作日
BSC014N06NS
Infineon(英飞凌)
TDSON(EP)

65000+:¥3.864

30000+:¥3.8976

5000+:¥3.92

2500+:¥4.0768

1250+:¥4.2784

100+:¥4.6144

1+:¥5.544

19998

25+
2-4工作日
BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies/IR

5000+:¥3.888

50000

25+
5-10工作日
BSC014N06NSATMA1
Infineon

200+:¥4.2151

150+:¥4.3983

100+:¥4.5816

1358

-
3-5工作日
BSC014N06NS
Infineon(英飞凌)
TDSON(EP)

5000+:¥4.8002

1+:¥5.2838

18947

-
6-8工作日
BSC014N06NS
Infineon Technologies
TDSON(EP)

1000+:¥5.7178

500+:¥5.9112

100+:¥6.3552

50+:¥7.3888

10+:¥8.3326

1+:¥9.5317

400

2303+
1工作日
BSC014N06NS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

25000+:¥6.6105

15000+:¥6.7275

10000+:¥6.903

5000+:¥7.3125

5000

23+
5-10工作日
BSC014N06NS
INFINEON TECHNOLOGIES
TDSON(EP)

1000+:¥7.7778

300+:¥8.0111

100+:¥8.33

30+:¥9.2556

10+:¥11.1222

1+:¥12.4444

5000

25+
1-3工作日
BSC014N06NS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

250000+:¥9.66

50000+:¥9.744

10000+:¥9.912

2000+:¥10.248

2000

-
5-7工作日
BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies/IR

500+:¥13.593

100+:¥14.9388

5+:¥16.464

4226

-
14-18工作日
BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies/IR

2500+:¥21.2611

1000+:¥23.3646

500+:¥25.1189

50+:¥26.4582

2+:¥27.2664

3680

-
10-15工作日
BSC014N06NS
英飞凌(INFINEON)
TDSON-8-FL

50000+:¥4.73

10000+:¥5.1063

5000+:¥5.375

1000+:¥7.525

300+:¥10.75

10+:¥17.4956

0

-
BSC014N06NS
Infineon(英飞凌)
TDSON8-FL

500+:¥12.0232

100+:¥12.3453

10+:¥13.9555

1+:¥14.4923

0

-
立即发货
BSC014N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8

5000+:¥12.43

1+:¥12.68

0

-
立即发货
BSC014N06NSATMA1
INFINEON
PG-TDSON-8

1+:¥17.64

10

-
现货最快4H发
BSC014N06NS
INFINEON
PG-TDSON-8FL

1+:¥17.8292

0

-
现货最快4H发
BSC014N06NSATMA1
英飞凌(INFINEON)
TDSON-8

30+:¥26.5867

10+:¥31.904

1+:¥47.8561

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.45 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 89 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6500 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),156W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN