BSC014N04LSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8FL
¥1.56
16,250
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A(Ta),100A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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BSC014N04LS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8FL

1000+:¥1.56

500+:¥1.66

100+:¥2.1

30+:¥2.48

10+:¥2.78

1+:¥3.48

4566

-
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BSC014N04LS
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8

5000+:¥1.64

1+:¥1.72

2531

22+
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BSC014N04LS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8

5000+:¥1.7056

1+:¥1.7888

1522

22+
1-2工作日发货
BSC014N04LS
英飞凌(INFINEON)
TDSON-8

50000+:¥3.487

10000+:¥3.7644

5000+:¥3.9625

1000+:¥5.5475

300+:¥7.925

10+:¥12.8979

5100

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BSC014N04LS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8FL

500+:¥4.85

100+:¥5.35

20+:¥6.17

1+:¥8.17

5000

20+
BSC014N04LS
INFINEON

1+:¥4.116

62

1851
现货最快4H发
BSC014N04LS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8

5000+:¥1.53504

1000+:¥1.60992

1+:¥2.40552

2531

--
1-3工作日
BSC014N04LS
Infineon Technologies
TDSON(EP)

1000+:¥2.0

500+:¥2.1

100+:¥2.205

10+:¥2.3814

1+:¥2.62

2207

2228+
1工作日
BSC014N04LS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

40000+:¥2.0178

20000+:¥2.0532

10000+:¥2.0886

5000+:¥2.2125

10000

25+
3-6工作日
BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies/IR
SUPERSO-8

15000+:¥2.1459

10000+:¥2.2019

5000+:¥2.3325

39106

-
3-5工作日
BSC014N04LS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

25000+:¥2.512

15000+:¥2.5561

10000+:¥2.6001

5000+:¥2.6442

20000

-
3-5工作日
BSC014N04LS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

3000+:¥3.051

1000+:¥3.105

500+:¥3.186

10+:¥3.24

90000

22+
3-5工作日
BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies/IR
SUPERSO-8

50000+:¥3.0786

25000+:¥3.1589

15000+:¥3.2659

5000+:¥3.3463

25000

-
3-5工作日
BSC014N04LS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

250000+:¥3.164

50000+:¥3.1923

10000+:¥3.2488

5000+:¥3.3618

14650

22+
3-4工作日
BSC014N04LS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

1+:¥3.5

141

22+
1工作日
BSC014N04LS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

10000+:¥3.5821

5000+:¥3.6455

1000+:¥3.7406

10+:¥3.9625

5100

-
3-5工作日
BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies/IR
SUPERSO-8

500+:¥6.2905

100+:¥6.9148

10+:¥7.608

11435

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14-18工作日
BSC014N04LSATMA1
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8

5000+:¥4.52

1+:¥4.7

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 32A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 61 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4300 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),96W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN