AOD482
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252-2(DPAK)
¥1.3
49,620
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A(Ta),32A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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封装
价格(含税)
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AOD482
AOS
TO252

2500+:¥1.3

1+:¥1.37

19029

25+
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AOD482
AOS(美国万代)
TO-252-3

2500+:¥1.352

1+:¥1.4248

18965

25+
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AOD482
AOS(美国万代)
TO-252-3

2500+:¥1.456

1+:¥1.5288

3958

2年内
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AOD482
AOS
TO-252-2(DPAK)

1000+:¥1.48

500+:¥1.57

100+:¥1.72

30+:¥2.06

10+:¥2.33

1+:¥2.96

2331

-
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AOD482
AOS(美国万代)
TO-252(DPAK)

500+:¥1.5072

10+:¥2.2368

1+:¥2.8416

184

-
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AOD482
AOS(美国万代)
TO-252

2500+:¥1.54

1250+:¥1.617

100+:¥1.848

30+:¥2.409

3969

-
3天-15天
AOD482
AOS
TO-252

600+:¥1.58

100+:¥1.72

20+:¥2.11

1+:¥2.97

1000

22+/21+
AOD482
AOS
TO-252(DPAK)

25000+:¥1.6579

5000+:¥1.7898

2500+:¥1.884

800+:¥2.6376

200+:¥2.6445

10+:¥2.7229

184

-
AOD482
AOS(美国万代)
TO-252-3

2500+:¥1.352

1250+:¥1.4248

100+:¥1.6328

1+:¥2.1112

16681

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5A(Ta),32A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 37 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 44 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2000 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),100W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63