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AOD444
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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AOD444
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AOS
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TO-252-3
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2500+:￥0.88 1+:￥0.932 |
2362 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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AOD444
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AOS(美国万代)
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TO-252-2(DPAK)
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2500+:￥0.9152 1+:￥0.96928 |
2356 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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AOD444
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AOS(美国万代)
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TO-252-2(DPAK)
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2500+:￥0.9152 1+:￥0.96928 |
4858 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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AOD444
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AOS(美国万代)
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TO-252-2(DPAK)
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5000+:￥0.94022 1000+:￥0.95768 500+:￥0.97514 100+:￥0.99172 10+:￥1.00395 |
510 |
22+
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现货
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硬之城
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AOD444
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AOS
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TO-252
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25000+:￥0.968 5000+:￥1.045 2500+:￥1.1 800+:￥1.54 200+:￥2.2 10+:￥3.5805 |
2362 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta），12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 540 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.1W（Ta），20W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |