AOD444
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252
¥0.88
21,403
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta),12A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AOD444
AOS
TO-252-3

2500+:¥0.88

1+:¥0.932

2362

2年内
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AOD444
AOS(美国万代)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥0.9152

1+:¥0.96928

2356

2年内
1-2工作日发货
AOD444
AOS(美国万代)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥0.9152

1+:¥0.96928

4858

25+
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AOD444
AOS(美国万代)
TO-252-2(DPAK)

5000+:¥0.94022

1000+:¥0.95768

500+:¥0.97514

100+:¥0.99172

10+:¥1.00395

510

22+
现货
AOD444
AOS
TO-252

25000+:¥0.968

5000+:¥1.045

2500+:¥1.1

800+:¥1.54

200+:¥2.2

10+:¥3.5805

2362

-
AOD444
AOS(美国万代)
TO-252(DPAK)

2500+:¥0.98

300+:¥1.1

100+:¥1.2

30+:¥1.45

1+:¥1.87

2118

-
立即发货
AOD444
AOS(美国万代)
TO-252

1250+:¥1.0494

100+:¥1.21

40+:¥1.562

2362

-
3天-15天
AOD444
AOS(万代)
TO252

500+:¥1.18

150+:¥1.38

50+:¥1.61

5+:¥1.99

2500

22+/23+
AOD444
AOS
TO-252

500+:¥1.2489

150+:¥1.4697

50+:¥1.6467

5+:¥2.0596

1960

-
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MOS场效应管 AOD444 TO-252 N沟道,60V,12A,85mΩ@4.5V(AOD444)
AOS
TO-252

2500+:¥1.137

100+:¥1.478

10+:¥1.705

1+:¥2.842

15

20+/21+
AOD444
Alpha & Omega Semiconductor
TO-252

2500+:¥0.812

2500

20+
6-8工作日
AOD444
AOS(美国万代)
TO-252,(D-Pak)

2500+:¥0.93496

1250+:¥0.99216

100+:¥1.144

1+:¥1.4768

2717

--
1-3工作日
AOD444
Alpha & Omega Semiconductor
TO-252

12000+:¥0.969

9000+:¥0.986

6000+:¥1.003

3000+:¥1.02

7500

24+
5-7工作日
AOD444
Alpha & Omega Semiconductor
TO-252

20000+:¥1.0124

10000+:¥1.0296

5000+:¥1.0553

2500+:¥1.0725

25000

-
3-6工作日
AOD444
Alpha & Omega Semiconductor
TO-252

15000+:¥1.0148

9000+:¥1.032

5000+:¥1.0578

2000+:¥1.075

15000

-
5-7工作日
AOD444
Alpha & Omega Semiconductor
TO-252

2500+:¥1.0435

300+:¥1.1374

100+:¥1.2417

30+:¥1.367

10+:¥1.6591

1+:¥2.0035

2124

21+
1工作日
AOD444
Alpha & Omega Semiconductor
TO-252

12000+:¥1.1172

9000+:¥1.1368

6000+:¥1.1564

3000+:¥1.176

25000

22+
3-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta),12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 540 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),20W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63